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1. (WO2018211793) 透明導電膜用スパッタリングターゲット

Pub. No.:    WO/2018/211793    International Application No.:    PCT/JP2018/008975
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018
IPC: C23C 14/34
C04B 35/01
C23C 14/08
H01B 5/14
H01B 13/00
Applicants: MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
三井金属鉱業株式会社
Inventors: YANO, Tomoyasu
矢野 智泰
KOHIRA, Toshihiro
児平 寿博
TATEYAMA, Shinichi
立山 伸一
NAKAMURA, Shinichiro
中村 信一郎
Title: 透明導電膜用スパッタリングターゲット
Abstract:
構成元素がIn、Sn、SiおよびO、またはIn、SiおよびOであり、Inの含有比率がIn2O3換算で70.0質量%以上85.0質量%未満であり、Snの含有比率がSnO2換算で0質量%以上10.0質量%以下であり、Siの含有比率がSiO2換算で15.0質量%より大きく、20.0質量%以下である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットのX線回折測定において、Siがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物のピークとして現れる透明導電膜用スパッタリングターゲット。本発明の導電膜形成用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低く、DCスパッタリングを行うことが可能であり、ノジュールやアーキングの発生が少ない。また、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高いエッチング加工性を有する透明導電膜を形成することができる。