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1. (WO2018211792) 透明導電膜用スパッタリングターゲット

Pub. No.:    WO/2018/211792    International Application No.:    PCT/JP2018/008974
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018
IPC: C23C 14/34
C04B 35/01
C04B 35/457
C23C 14/08
H01B 5/14
H01B 13/00
Applicants: MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
三井金属鉱業株式会社
Inventors: YANO, Tomoyasu
矢野 智泰
KOHIRA, Toshihiro
児平 寿博
TATEYAMA, Shinichi
立山 伸一
NAKAMURA, Shinichiro
中村 信一郎
Title: 透明導電膜用スパッタリングターゲット
Abstract:
本発明は、構成元素がIn、Sn、SiおよびOであり、Inの含有比率がIn2O3換算で25.0質量%より大きく82.0質量%以下であり、Snの含有比率がSnO2換算で15.0質量%以上65.0質量%以下であり、Siの含有比率がSiO2換算で3.0質量%以上10.0質量%未満である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットである。本発明の導電膜形成用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低く、DCスパッタリングを行うことが可能であり、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高い耐薬品性を有する透明導電膜を形成することができる。