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1. (WO2018211788) リング状部材の製造方法及びリング状部材
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国際公開番号: WO/2018/211788 国際出願番号: PCT/JP2018/008870
国際公開日: 22.11.2018 国際出願日: 07.03.2018
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
日本新工芯技株式会社 THINKON NEW TECHNOLOGY JAPAN CORPORATION [JP/JP]; 東京都練馬区豊玉北四丁目30番10号 30-10, Toyotamakita 4-chome, Nerima-ku, Tokyo 1760012, JP
発明者:
碇 敦 IKARI Atsushi; JP
藤井 智 FUJII Satoshi; JP
代理人:
吉田 正義 YOSHIDA Tadanori; JP
優先権情報:
2017-10017319.05.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ANNULAR MEMBER AND ANNULAR MEMBER
(FR) ÉLÉMENT ANNULAIRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) リング状部材の製造方法及びリング状部材
要約:
(EN) Provided are: a method for manufacturing an annular member in which a plurality of silicon members are joined; and an annular member. This method for manufacturing an annular member 32, which is installed inside a substrate-accommodating treatment chamber of a substrate treatment device for performing plasma treatment on a substrate, is characterized by including: a step for arranging one abutting surface of one silicon member 34 and another abutting surface of another silicon member 36 to abut each other; a step for heating the one abutting surface and the other abutting surface by optical heating, melting silicon on the one abutting surface and silicon on the other abutting surface, and allowing silicon melt to flow in between the one abutting surface and the other abutting surface; and a step for cooling the one abutting surface and the other abutting surface, crystallizing the silicon melt to form a silicon adhesion part, and joining the one silicon member 32 and the other silicon member 34 by means of the silicon adhesion part.
(FR) L’invention fournit un procédé de fabrication d’élément annulaire, et un élément annulaire dans lequel une pluralité d’éléments silicium sont liés. Plus précisément, l’invention concerne un procédé de fabrication d’un élément annulaire (32) qui est placé à l’intérieur d’une chambre de traitement renfermant un substrat d’un dispositif de traitement de substrat destiné au traitement par plasma dudit substrat. Ce procédé de fabrication est caractéristique en ce qu’il inclut : une étape telle qu’une première face contact d’un premier élément silicium (34), et une autre face contact d’un autre élément silicium (36), sont disposé de manière à se trouver en contact ; une étape au cours de laquelle ladite première face contact et ladite autre face contact sont chauffées par chauffage optique, un silicium à la surface de la première face contact et un silicium à la surface de l’autre face contact sont mis en fusion, et un produit de silicium en fusion ruisselle entre la première face contact et l’autre face contact ; et une étape au cours de laquelle ladite première face contact et ladite autre face contact sont refroidies, une partie adhésion de silicium est formée par cristallisation dudit produit de silicium en fusion, et un premier élément silicium (32) ainsi qu’un autre élément silicium (34) sont liés par l’intermédiaire de ladite partie adhésion de silicium.
(JA) 複数のシリコン部材を接合したリング状部材の製造方法及びリング状部材を提供する。基板にプラズマ処理をする基板処理装置の前記基板が収容される処理室内に設置するリング状部材32の製造方法であって、一のシリコン部材34の一の突き合わせ面と、他のシリコン部材36の他の突き合わせ面とが、突き合わされるように配置する工程と、前記一の突き合わせ面と前記他の突き合わせ面とを光加熱により加熱し、一の突き合わせ面の表面のシリコンと他の突き合わせ面の表面のシリコンとを融解し、一の突き合わせ面と他の突き合わせ面との間にシリコン融解物が流れ込むようにする工程と、前記一の突き合わせ面と前記他の突き合わせ面とを冷却し、前記シリコン融解物を結晶化させてシリコン接着部を形成し、一のシリコン部材32と他のシリコン部材34とを前記シリコン接着部を介して接合する工程とを含むことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)