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1. (WO2018211737) SiCエピタキシャルウエハおよびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/211737    International Application No.:    PCT/JP2018/001401
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jan 19 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/205
C30B 29/36
H01L 21/20
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: MITANI Yoichiro
三谷 陽一郎
KIMURA Yasuhiro
木村 泰広
ONO Akihito
大野 彰仁
Title: SiCエピタキシャルウエハおよびその製造方法
Abstract:
本発明は、SiCエピタキシャルウエハのデバイス歩留まりを高めることを目的とする。SiCエピタキシャルウエハ11は、SiCエピタキシャル層であるドリフト層2を備える。ドリフト層2は、膜厚が18μm以上350μm以下であり、算術平均粗さが0.60nm以上3.00nm以下であり、不純物濃度が1×1014/cm3以上5×1015/cm3以下である。