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1. (WO2018211735) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/211735    International Application No.:    PCT/JP2018/000012
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jan 05 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/60
H01L 21/336
H01L 29/78
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: KAWAHARA, Chihiro
河原 知洋
HORIGUCHI, Takeshi
堀口 剛司
TAMADA, Yoshiko
玉田 美子
NAKAYAMA, Yasushi
中山 靖
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置の劣化の検出精度を向上させる。第1金属パターン(51),第2金属パターン(52)は、制御部(100)に接続されている。ボンディングワイヤ(41)は、第1金属パターン(51)とエミッタ電極(31)とを接続する。線状導体(1a)は、第1電極パッド(311)と第2電極パッド(312)との間に接続されている。第1ボンディングワイヤ(411~414)は、第1電極パッド(311)と第2金属パターン(52)とを接続している。第2ボンディングワイヤ(415~418)は、第2電極パッド(312)と第2金属パターン(52)とを接続している。制御部(100)は、第1金属パターン(51)と第2金属パターン(52)との間の電位差が閾値を超えた場合に、半導体装置(1)の劣化を検出する。