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1. (WO2018211689) 半導体装置、半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/211689 国際出願番号: PCT/JP2017/018842
国際公開日: 22.11.2018 国際出願日: 19.05.2017
IPC:
H01S 5/026 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026
モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
河原 弘幸 KAWAHARA, Hiroyuki; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法
要約:
(EN) The present invention comprises: a substrate; a semiconductor laser unit formed by layering a plurality of layers including an active layer on the substrate; and an adjacent part that is formed by layering a plurality of layers including a core layer on the substrate, the adjacent part being an optical modulator or an optical waveguide that makes contact with the semiconductor laser unit by being butt-joined thereto. This semiconductor device, in which the semiconductor laser unit and the adjacent part are butt-joint bonded, is characterized in that at least the portion of the semiconductor laser unit in contact with the adjacent part is disordered.
(FR) La présente invention comprend : un substrat ; une unité laser à semi-conducteur formée par stratification d'une pluralité de couches comprenant une couche active sur le substrat ; et une partie adjacente qui est formée par stratification d'une pluralité de couches comprenant une couche centrale sur le substrat, la partie adjacente étant un modulateur optique ou un guide d'ondes optique qui entre en contact avec l'unité laser à semi-conducteur en étant joint bout à bout à celle-ci. Ce dispositif à semi-conducteur, dans lequel l'unité laser à semi-conducteur et la partie adjacente sont liées bout à bout, est caractérisé en ce qu'au moins la partie de l'unité laser à semi-conducteur en contact avec la partie adjacente est désordonnée.
(JA) 基板と、該基板の上に活性層を含む複数の層が積層されることで形成された半導体レーザ部と、該基板の上にコア層を含む複数の層が積層されることで形成された、該半導体レーザ部にバットジョイント接合することで接する光変調器又は光導波路である隣接部と、を備える。該半導体レーザ部と該隣接部がバットジョイント接合した半導体装置において、少なくとも該半導体レーザ部の該隣接部に接する部分は無秩序化されたことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)