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1. (WO2018211569) 極端紫外光生成装置
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国際公開番号: WO/2018/211569 国際出願番号: PCT/JP2017/018254
国際公開日: 22.11.2018 国際出願日: 15.05.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,H05G 2/00 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
05
他に分類されない電気技術
G
X線技術
2
X線の発生に特に適合した装置または処理で,X線管を含まないもの,例.プラズマの発生を含むもの
出願人:
ギガフォトン株式会社 GIGAPHOTON INC. [JP/JP]; 栃木県小山市大字横倉新田400番地 400, Oaza Yokokurashinden, Oyama-shi, Tochigi 3238558, JP
発明者:
植田 篤 UEDA Atsushi; JP
代理人:
森村靖男 MORIMURA Yasuo; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT GENERATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE EXTRÊME
(JA) 極端紫外光生成装置
要約:
(EN) An extreme ultraviolet light generation device comprises: a chamber (2) that includes therein a plasma generation region (22) for forming a plasma from the droplets of a target substance; an EUV-light collector mirror (23) that has a reflective surface (23A) for reflecting EUV light generated by forming a plasma from the droplets in the plasma generation region; a magnetic-field generation unit configured to generate a magnetic field ML that causes charged particles generated by forming a plasma from the droplets in the plasma generation region to converge onto the wall of the chamber; and an etching gas supplying part (32) that supplies etching gas from the periphery of the EUV-light collector mirror along the reflective surface. The etching gas supplying part is configured such that the flow rate of the etching gas supplied from one side of a plane S, which passes through the magnetic-field axis AX of the magnetic field and the center axis of the EUV-light collector mirror, is higher than the flow rate of the etching gas supplied from the other side of the plane S.
(FR) L'invention concerne un dispositif de génération de lumière ultraviolette extrême comprenant : une chambre (2) qui comprend en son sein une région de génération de plasma (22) pour former un plasma à partir des gouttelettes d'une substance cible ; un miroir collecteur de lumière EUV (23) qui a une surface réfléchissante (23A) pour réfléchir la lumière EUV générée par la formation d'un plasma à partir des gouttelettes dans la région de génération de plasma ; une unité de génération de champ magnétique conçue pour générer un champ magnétique ML qui amène des particules chargées générées par la formation d'un plasma à partir des gouttelettes dans la région de génération de plasma à converger sur la paroi de la chambre ; et une partie d'alimentation en gaz de gravure (32) qui fournit du gaz de gravure à partir de la périphérie du miroir collecteur de lumière EUV le long de la surface réfléchissante. La partie d'alimentation en gaz de gravure est conçue de telle sorte que le débit du gaz de gravure fourni depuis un côté d'un plan S, qui passe à travers l'axe de champ magnétique AX du champ magnétique et l'axe central du miroir collecteur de lumière EUV, soit supérieur au débit du gaz de gravure fourni depuis l'autre côté du plan S.
(JA) 極端紫外光生成装置は、ターゲット物質のドロップレットをプラズマ化させるプラズマ生成領域(22)を内部に有するチャンバ(2)と、前記プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じるEUV光を反射する反射面(23A)を有するEUV光集光ミラー(23)と、前記プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子が前記チャンバの壁側に収束するための磁場MLを発生するよう構成された磁場発生部と、前記EUV光集光ミラーの外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給するエッチングガス供給部(32)と、を備え、前記エッチングガス供給部は、前記磁場の磁場軸AX及び前記EUV光集光ミラーの中心軸を通る面Sを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速が、面Sを基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)