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1. (WO2018211554) 温度測定装置及び温度測定方法
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国際公開番号: WO/2018/211554 国際出願番号: PCT/JP2017/018169
国際公開日: 22.11.2018 国際出願日: 15.05.2017
IPC:
G01K 7/01 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
K
温度の測定;熱量の測定;他に分類されない感温素子
7
熱に直接感応する電気的または磁気的素子の使用を基礎とした温度測定
01
PN接合をもつ半導体素子を用いるもの
出願人:
株式会社ソシオネクスト SOCIONEXT INC. [JP/JP]; 神奈川県横浜市港北区新横浜二丁目10番23 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033, JP
発明者:
濱野 寛之 HAMANO, Hiroyuki; JP
宮崎 敬史 MIYAZAKI, Takashi; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) TEMPERATURE MEASUREMENT DEVICE AND TEMPERATURE MEASUREMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPÉRATURE ET PROCÉDÉ DE MESURE DE TEMPÉRATURE
(JA) 温度測定装置及び温度測定方法
要約:
(EN) Provided is a temperature measurement device that has: first and second semiconductor elements each having a p-n junction; a transistor group that comprises a plurality of transistors in which the sources are connected to a power supply and the respective gates are connected to each other to form a current source, and that outputs a first current and a second current of a magnitude different from that of the first current to the first and second semiconductor elements; and a selector which selects, from among the plurality of transistors, at least one first transistor and a plurality of second transistors different from the first transistor and which connects the drain of the first transistor to one of the first and second semiconductor elements and the drain of the second transistor to the other of the first and second semiconductor elements.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de mesure de température qui comporte : des premier et deuxième éléments semi-conducteurs ayant chacun une jonction p-n ; un groupe de transistors qui comprend une pluralité de transistors dans lesquels les sources sont connectées à une alimentation électrique et les grilles respectives sont mutuellement connectées pour former une source de courant, et qui délivre en sortie un premier courant et un deuxième courant d’une amplitude différente de celle du premier courant aux premier et deuxième éléments semi-conducteurs ; et un sélecteur qui sélectionne, parmi la pluralité de transistors, au moins un premier transistor et une pluralité de deuxièmes transistors différents du premier transistor et qui connecte le drain du premier transistor à l’un des premier et deuxième éléments semi-conducteurs et le drain du deuxième transistor à l’autre des premier et deuxième éléments semi-conducteurs.
(JA) PN接合を有する第1及び第2の半導体素子と、ソースが電源に接続され、互いのゲート同士が接続され電流源を構成する複数のトランジスタを有し、前記第1及び第2の半導体素子に対し、第1の電流と、前記第1の電流とは異なる大きさの第2の電流を出力するトランジスタ群と、前記複数のトランジスタから、少なくとも1個の第1のトランジスタと前記第1のトランジスタと異なる複数の第2のトランジスタを選択し、前記第1のトランジスタのドレインを、前記第1及び第2の半導体素子の一方に接続し、前記複数の第2のトランジスタのドレインを、前記第1および第2の半導体素子の他方に接続するセレクタと、を有する温度測定装置である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)