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1. (WO2018211398) 半導体装置及び電子機器

Pub. No.:    WO/2018/211398    International Application No.:    PCT/IB2018/053332
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue May 15 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 27/1156
H01L 21/8234
H01L 27/088
H01L 27/10
H01L 27/146
H01L 29/786
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei
山崎舜平
KATO, Kiyoshi
加藤清
ATSUMI, Tomoaki
熱海知昭
Title: 半導体装置及び電子機器
Abstract:
第1の層(20)と,第1の層の上方の第2の層(30)と,を有し,第1の層は,制御回路(21)を有し,第2の層は,記憶回路(MEM)を有し,制御回路は,記憶回路の動作を制御する機能を有し,記憶回路は,複数のメモリセル(32)を有し,メモリセルは,第1のトランジスタ(Trl)と,第2のトランジスタ(Tr2)と,容量素子(C1)と,を有し,第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は,第2のトランジスタのゲート及び容量素子と電気的に接続され,制御回路は,半導体基板に形成されたトランジスタを有し,第1のトランジスタと第2のトランジスタは,チャネル形成領域に金属酸化物を有し,第1のトランジスタと第2のトランジスタの極性は同一である半導体装置(10)を提供する。