このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018211378) 半導体装置または記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/211378 国際出願番号: PCT/IB2018/053278
国際公開日: 22.11.2018 国際出願日: 11.05.2018
IPC:
G11C 11/405 (2006.01) ,G11C 11/56 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21
電気的素子を用いるもの
34
半導体装置を用いるもの
40
トランジスタを用いるもの
401
リフレッシングまたは電荷再生,すなわちダイナミック・セル
403
多数のメモリセルに共通な電荷再生,すなわち外部リフレッシュをもつもの
405
1つのセル当り,3つの電荷転送ゲート,例.MOSトランジスタ,をもつもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
56
ステップによって表わされる3以上の安定状態を有する記憶素子を用いるもの,例.電圧によるもの,電流によるもの,位相によるもの,周波数によるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8242
ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
108
ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
発明者:
米田誠一 YONEDA, Seiichi; JP
優先権情報:
2017-09978819.05.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE OR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OU DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 半導体装置または記憶装置
要約:
(EN) The present invention provides a novel semiconductor device. Alternatively, the present invention provides a storage device that is capable of holding more multivalue information. One among the source and the drain of a write transistor is electrically connected to a bit line, and the other one is electrically connected to an information holding unit. Information written in the information holding unit is supplied to the information holding unit via a write bit line and the write transistor. A back gate of the write transistor is electrically connected to the write bit line, whereby the rise of a threshold voltage occurring during a write operation is suppressed and more multivalue information can be held (stored).
(FR) La présente invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteur. En variante, la présente invention concerne un dispositif de stockage qui est capable de contenir plus d'informations multivaleurs. Un parmi la source et le drain d'un transistor d'écriture est relié électriquement à une ligne de bits, et l'autre est électriquement relié à une unité de maintien d'informations. Des informations écrites dans l'unité de conservation d'informations sont fournies à l'unité de conservation d'informations par l'intermédiaire d'une ligne de bits d'écriture et du transistor d'écriture. Une grille arrière du transistor d'écriture est reliée électriquement à la ligne de bits d'écriture, moyennant quoi l'élévation d'une tension de seuil se produisant pendant une opération d'écriture est supprimée et des informations multivaleurs peuvent être conservées (stockées).
(JA) 要約書 新規な半導体装置を提供する。または、より多くの多値情報の保持が可能な記憶装置を提供する。 書き込みトランジスタのソースまたはドレインの一方をビット線と電気的に接続し、他方を情報保持 部と電気的に接続する。 情報保持部に書き込まれる情報は、 書き込みビット線および書き込みトラン ジスタを介して情報保持部に供給される。書き込みトランジスタのバックゲートを書き込みビット線 と電気的に接続することで、 書き込み動作時に生じるしきい値電圧の上昇を抑え、 より多くの多値情 報を保持する(記憶する)ことができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)