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1. (WO2018207942) サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板

Pub. No.:    WO/2018/207942    International Application No.:    PCT/JP2018/018437
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat May 12 01:59:59 CEST 2018
IPC: C30B 29/36
C23C 16/458
H01L 21/683
Applicants: TOYO TANSO CO., LTD.
東洋炭素株式会社
Inventors: SAKAGUCHI, Takuya
坂口 卓也
SHINOHARA, Masato
篠原 正人
NOGAMI, Satoru
野上 暁
Title: サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板
Abstract:
サセプタは、SiC基板の主面にエピタキシャル層を形成する際に当該SiC基板を載せるための部材である。このサセプタには、支持面(22)と、凹部(30)と、が形成されている。支持面(22)は、サセプタ上面(11)よりも低い位置に形成され、SiC基板の裏面の外周部を支持する。凹部(30)は、支持面(22)よりも径方向の内側に形成されており、少なくとも表面が炭化タンタルで構成されており、エピタキシャル層の形成処理時においてSiC基板の裏面と接触しない深さである。