国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018207920) 半導体装置密着層形成用エポキシ樹脂組成物

Pub. No.:    WO/2018/207920    International Application No.:    PCT/JP2018/018377
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat May 12 01:59:59 CEST 2018
IPC: C08G 59/32
C08G 59/62
H01L 21/56
H01L 23/29
H01L 23/31
Applicants: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
日産化学株式会社
Inventors: SUWA, Takeshi
諏訪 剛史
UEDA, Yuki
上田 祐揮
KOIDE, Yasuyuki
小出 泰之
Title: 半導体装置密着層形成用エポキシ樹脂組成物
Abstract:
【課題】 耐熱性、密着性に優れる半導体装置用の密着層を形成するためのエポキシ樹脂組成物を提供する。 半導体素子、半導体素子を搭載する基板及び/又は半導体素子と接合するリード電極、並びにこれらを封止する封止樹脂硬化物から成る半導体装置において、前記封止樹脂硬化物と、前記基板及び/又は前記リード電極との界面の少なくとも一部に具備される密着層を形成するためのエポキシ樹脂組成物であって、式[1]で表されるエポキシ化合物、及び硬化剤を含む、半導体装置密着層形成用エポキシ樹脂組成物。(式中、R1乃至R3はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、L1乃至L3はそれぞれ独立して、炭素原子数1乃至7のアルキレン基を表す。)