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1. (WO2018207862) 半導体装置の製造方法および半導体装置の中間体

Pub. No.:    WO/2018/207862    International Application No.:    PCT/JP2018/018069
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri May 11 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/56
H01L 23/12
Applicants: MITSUI CHEMICALS, INC.
三井化学株式会社
Inventors: KAMADA, Jun
鎌田 潤
HARUTA, Kaichiro
春田 佳一郎
KAYABA, Yasuhisa
茅場 靖剛
KOHMURA, Kazuo
高村 一夫
KODAMA, Yoichi
児玉 洋一
Title: 半導体装置の製造方法および半導体装置の中間体
Abstract:
本発明の半導体装置の製造方法は、支持基板上に、複数の半導体チップを、その回路面が前記支持基板と対向するように固定する第1工程と、前記複数の半導体チップ上に封止樹脂を3次元造形法で付与することにより、前記半導体チップが前記封止樹脂によって埋め込まれた封止層を、間隔を空けて複数形成する第2工程と、前記封止層を硬化又は固化させる第3工程と、前記硬化又は固化された封止層を前記支持基板から剥離して、封止体を得る第4工程とを含む。