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1. WO2018207831 - プログラマブル論理回路とこれを用いた半導体装置

公開番号 WO/2018/207831
公開日 15.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/017965
国際出願日 09.05.2018
IPC
H03K 19/177 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
19論理回路,すなわち,1出力に作用する少なくとも2入力を持つもの;反転回路
02特定の構成要素を用いるもの
173構成要素として基本的論理回路を用いるもの
177マトリクス形状で配列されたもの
H01L 21/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
H01L 21/8239 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 45/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 49/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49H01L27/00~H01L47/00およびH01L51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
H01L 21/82
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
H01L 21/8239
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8239Memory structures
H01L 27/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
H01L 45/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
H01L 49/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
49Solid state devices not provided for in groups H01L27/00 - H01L47/00 and H01L51/00 and not provided for in any other subclass; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
H03K 19/177
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
02using specified components
173using elementary logic circuits as components
177arranged in matrix form
出願人
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 辻 幸秀 TSUJI Yukihide
  • 阪本 利司 SAKAMOTO Toshitsugu
  • 宮村 信 MIYAMURA Makoto
  • 根橋 竜介 NEBASHI Ryusuke
  • 多田 あゆ香 TADA Ayuka
  • 白 旭 BAI Xu
代理人
  • 下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki
優先権情報
2017-09450711.05.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROGRAMMABLE LOGIC CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
(FR) CIRCUIT LOGIQUE PROGRAMMABLE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(JA) プログラマブル論理回路とこれを用いた半導体装置
要約
(EN)
In order to output two potential values of a power supply voltage and a ground voltage and provide a reconfigurable logic integrated circuit having a small circuit area, this programmable logic circuit is provided with: a first switch; a second switch; a pair of transistors, which is a P-type transistor and an N-type trans each having a gate connected to an input terminal, the P-type transistor having a source connected to the power supply voltage directly or via the first switch, and the N-type transistor having a drain connected to the ground voltage directly or via the second switch; and a third switch which is linked with the first switch and the second switch and outputs, to an output terminal, a drain voltage of the P-type transistor, which is in an on-state and the source of which is connected to the power supply voltage, or a source voltage of the N-type transistor, which is in an on-stae and the drain of which is connected to the ground voltage.
(FR)
Afin de délivrer deux valeurs potentielles d'une tension d'alimentation électrique et d'une tension de masse et de pourvoir à un circuit intégré logique reconfigurable ayant une petite zone de circuit, la présente invention concerne un circuit logique programmable pourvu : d'un premier commutateur ; d'un deuxième commutateur ; d'une paire de transistors, qui sont un transistor de type P et un transistor trans de type N ayant chacun une grille connectée à une borne d'entrée, le transistor de type P ayant une source connectée à la tension d'alimentation électrique directement ou par l'intermédiaire du premier commutateur et le transistor de type N ayant un drain connecté à la tension de masse directement ou par l'intermédiaire du deuxième commutateur ; et d'un troisième commutateur qui est relié au premier commutateur et au deuxième commutateur et délivre, à une borne de sortie, une tension de drain du transistor de type P, qui est dans un état passant et dont la source est connectée à la tension d'alimentation électrique, ou une tension source du transistor de type N, qui est dans un état passant et dont le drain est connecté à la tension de masse.
(JA)
電源電圧と接地の2値の電位を出力し、かつ回路面積が小さい再構成が可能な論理集積回路を提供するために、第1のスイッチと、第2のスイッチと、ゲートが入力端子に接続し、ソースが前記第1のスイッチを介してもしくは直接、電源電圧に接続するP型トランジスタと、ドレインが前記第2のスイッチを介してもしくは直接、接地するN型トランジスタと、の2つの組と、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチと連動して、前記電源電圧に前記ソースが接続しかつオンしている前記P型トランジスタのドレインの電圧、もしくは、前記ドレインが接地しかつオンしている前記N型トランジスタのソースの電圧を、出力端子に出力する第3のスイッチと、を有するプログラマブル論理回路とする。
他の公開
JP2019517668
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