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1. (WO2018207794) ガラス基板、およびガラス基板の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/207794 国際出願番号: PCT/JP2018/017835
国際公開日: 15.11.2018 国際出願日: 08.05.2018
IPC:
C03C 15/00 (2006.01) ,C03C 3/083 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
15
繊維やフィラメントの形態をとらないガラスの,エッチングによる表面処理
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
3
ガラスの組成物
04
シリカを含むもの
076
重量比で40%から90%シリカを有するもの
083
酸化アルミニウムまたは鉄化合物を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
出願人:
AGC株式会社 AGC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405, JP
発明者:
山本 浩史 YAMAMOTO, Hirofumi; JP
小野 和孝 ONO, Kazutaka; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2017-09578212.05.2017JP
2017-20450323.10.2017JP
発明の名称: (EN) GLASS SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GLASS SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT EN VERRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN VERRE
(JA) ガラス基板、およびガラス基板の製造方法
要約:
(EN) A glass substrate 10 according to the present invention is a glass substrate for manufacturing a semiconductor package, the glass substrate having: a pair of first and second main surfaces 11, 12 which face each other; and an end surface 13 connecting the pair of first and second main surfaces 11, 12, wherein the glass substrate 10 contains Si, Al, and Na, and the atomic concentration of Na in a depth of 20-100 nm from the outer surface of the end surface 13 is 18 at.% or less.
(FR) La présente invention (10) concerne un substrat en verre conçu pour la fabrication d'un boîtier de semi-conducteur, le substrat en verre comportant : une paire de première et seconde surfaces principales (11, 12) qui se font face; et une surface d'extrémité (13) reliant la paire de première et seconde surfaces principales (11, 12), le substrat en verre (10) contenant du Si, de l'Al et du Na, et la concentration atomique en Na à une profondeur de 20 à 100 nm à partir de la surface externe de la surface d'extrémité (13) étant égale ou inférieure à 18 % at.
(JA) 本発明に係るガラス基板10は、対向する一対の第1主面11と第2主面12と、一対の第1主面11と第2主面12とを連結する端面13とを有する半導体パッケージの製造用のガラス基板であって、ガラス基板10は、Si、Al、およびNaを含有し、端面13の表面から深さ20~100nmにおけるNa原子濃度は、18原子%以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)