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1. (WO2018207712) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/207712    International Application No.:    PCT/JP2018/017570
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu May 03 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 29/06
H01L 21/329
H01L 21/336
H01L 29/739
H01L 29/78
H01L 29/861
H01L 29/868
Applicants: ROHM CO., LTD.
ローム株式会社
Inventors: MURASAKI Kohei
村▲崎▼ 耕平
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置は、主面を有し、アクティブ領域を含む半導体層と、前記半導体層の前記主面の表層部に形成された第1導電型の第1不純物領域と、前記第1不純物領域の表層部において前記アクティブ領域の周縁に沿うように形成された第2導電型のフィールドリミット領域と、前記フィールドリミット領域の第2導電型不純物濃度よりも低い第2導電型不純物濃度を有し、前記第1不純物領域の表層部において前記フィールドリミット領域に対して前記アクティブ領域とは反対側の領域で前記フィールドリミット領域の周縁に沿って形成された第2導電型の低濃度領域と、を含む。