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1. (WO2018207647) 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜、及び絶縁膜を備えた半導体デバイス

Pub. No.:    WO/2018/207647    International Application No.:    PCT/JP2018/017078
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018
IPC: C08G 59/20
C08G 77/14
H01L 23/29
H01L 23/31
Applicants: DAICEL CORPORATION
株式会社ダイセル
Inventors: MIYAKE, Hiroto
三宅弘人
TSUJI, Naoko
辻直子
YAMAKAWA, Akira
山川章
Title: 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜、及び絶縁膜を備えた半導体デバイス
Abstract:
本発明は、絶縁性及び耐熱性に優れ、反りの発生を抑制し、密着性に優れた絶縁膜を形成することができる、絶縁膜形成用組成物を提供する。本発明の絶縁膜形成用組成物は、重合性化合物として、シロキサン構成単位からなるポリオルガノシルセスキオキサンであって、 下記式(I) [RaSiO3/2] (I) で表される構成単位と、下記式(II) [RaSiO2/2(ORb)] (II) で表される構成単位の合計がシロキサン構成単位全量の55モル%以上であり、 数平均分子量が500~10000、エポキシ当量が200~2000g/eqであるポリオルガノシルセスキオキサンを含む。