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1. (WO2018207518) 半導体レーザー装置
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国際公開番号: WO/2018/207518 国際出願番号: PCT/JP2018/014846
国際公開日: 15.11.2018 国際出願日: 09.04.2018
IPC:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022
マウント;ハウジング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
国友 潤 KUNITOMO Jun; --
大久保 伸洋 OHKUBO Nobuhiro; --
菅原 章義 SUGAHARA Akiyoshi; --
代理人:
特許業務法人 佐野特許事務所 SANO PATENT OFFICE; 大阪府大阪市中央区天満橋京町2-6天満橋八千代ビル別館5F 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032, JP
優先権情報:
2017-09446211.05.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザー装置
要約:
(EN) A semiconductor laser device 1 is provided with: a semiconductor laser element 5 that outputs light from an output section 5a; and a metal stem 8 that holds the semiconductor laser element 5. The metal stem 8 has a base section 2 having a reference surface 2a as an upper surface, and a protruding section 3 protruding upward from the reference surface 2a. The protruding section 3 is provided with: a disposition surface 3a for disposing the semiconductor laser element 5, and a side surface 3e that is disposed on a same plane, on which a part of an outer peripheral surface 2e of the base section 2 is disposed.
(FR) La présente invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur 1 comprenant : un élément laser à semi-conducteur 5 qui émet de la lumière à partir d'une partie de sortie 5a ; et une tige métallique 8 qui maintient l'élément laser à semi-conducteur 5. La tige métallique 8 présente une partie de base 2 ayant une surface de référence 2a en tant que surface supérieure, et une partie en saillie 3 faisant saillie vers le haut à partir de la surface de référence 2a. La partie en saillie 3 est pourvue : d'une surface de disposition 3a pour disposer l'élément laser à semi-conducteur 5, et d'une surface latérale 3e qui est disposée sur un même plan, sur laquelle une partie d'une surface périphérique externe 2a de la partie de base 2 est disposée.
(JA) 出射部5aから光を出射する半導体レーザー素子5と、半導体レーザー素子5を保持する金属ステム8とを備えた半導体レーザー装置1において、金属ステム8が、上面に基準面2aを有する基台部2と、基準面2aから上方に突出する突出部3とを有し、突出部3が半導体レーザー素子5を設置する設置面3aと、基台部2の外周面2eの一部と同一面上に配される側面3eとを設けた。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)