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1. (WO2018207449) 半導体装置および電力変換装置
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国際公開番号: WO/2018/207449 国際出願番号: PCT/JP2018/008916
国際公開日: 15.11.2018 国際出願日: 08.03.2018
IPC:
H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
872
ショットキーダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
43
構成材料に特徴のあるもの
47
ショットキー障壁電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
海老原 洪平 EBIHARA Kohei; JP
宮川 成人 MIYAKAWA Naruto; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2017-09521512.05.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT
(JA) 半導体装置および電力変換装置
要約:
(EN) The objective of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device, wherein depositing of oxides are suppressed to prevent the detachment of a resin layer. This semiconductor device (100) comprises: a terminal end well region (2) of the second electroconductive type formed in the surface layer of a semiconductor layer (1b); a field insulation film (3) provided in such a manner as to extend more toward the outer periphery than the outer peripheral edge of the terminal end well region (2); a resin layer provided in such a manner that at least a section thereof extends on the surface of the semiconductor layer (1b) more toward the outer periphery than the outer peripheral edge of the field insulation film (3); and a floating well region (7) of the second electroconductive type having a floating potential, formed in the surface layer of the semiconductor layer (1b) in such a manner as to be spaced from the terminal end well region (2), to be in contact with the outer peripheral edge of the field insulation film (3), and to extend more toward the outer periphery than the outer peripheral edge of the field insulation film (3).
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs de haute fiabilité, le dépôt d'oxydes étant supprimé afin d'empêcher le détachement d'une couche de résine. Ce dispositif à semi-conducteurs (100) comprend : une région de puits d'extrémité de borne (2) du second type de conductivité électrique, formée dans la couche superficielle d'une couche semi-conductrice (1b) ; un film d'isolement de champ (3), disposé de manière à s'étendre davantage vers la périphérie externe que le bord périphérique externe de la région de puits d'extrémité de borne (2) ; une couche de résine, disposée de manière à ce qu'au moins une section de cette dernière s'étende sur la surface de la couche semi-conductrice (1b), davantage vers la périphérie externe que le bord périphérique externe du film d'isolement de champ (3) ; et une région flottante de puits (7) du second type de conductivité électrique, ayant un potentiel flottant, formée dans la couche de surface de la couche semi-conductrice (1b), de manière à être espacée de la région de puits d'extrémité de borne (2), afin d'être en contact avec le bord périphérique externe du film d'isolement de champ (3), et afin de s'étendre davantage vers la périphérie externe que le bord périphérique externe du film d'isolement de champ (3).
(JA) 本発明は、酸化物の析出を抑制して樹脂層の剥離を防ぎ、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。本発明の半導体装置(100)は、半導体層(1b)の表層に形成された第2導電型の終端ウェル領域(2)と、終端ウェル領域(2)の外周端よりも外周側に延在するように設けられたフィールド絶縁膜(3)と、フィールド絶縁膜(3)の外周端よりも外周側の半導体層(1b)の表面上に少なくとも一部が延在するように設けられた樹脂層と、半導体層(1b)の表層に、終端ウェル領域(2)と離間し、フィールド絶縁膜(3)の外周端と接してフィールド絶縁膜(3)の外周端より外周側に延在するように形成され、浮遊電位を有する第2導電型のフローティングウェル領域(7)と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)