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1. WO2018207422 - レーザ装置組立体

公開番号 WO/2018/207422
公開日 15.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/005410
国際出願日 16.02.2018
IPC
H01S 5/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
10光共振器の構造または形状
G02B 6/12 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
6ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10光導波路型のもの
12集積回路型のもの
G02B 6/125 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
6ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10光導波路型のもの
12集積回路型のもの
122基本的光学要素,例.ライトガイドパス
125屈曲,分岐または交差
G02F 1/025 2006.01
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
015少なくとも1つの電位障壁を有する半導体素子に基いたもの,例.PN,PIN接合
025光導波路構造のもの
H01S 5/026 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
H01S 5/065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
06レーザ出力パラメータの制御,例.活性媒質を制御することによるもの
065モードロッキング;モード抑制;モード選択
CPC
G02B 2006/12121
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
12083Constructional arrangements
12121Laser
G02B 6/12004
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
12004Combinations of two or more optical elements
G02B 6/12007
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
12007forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
G02B 6/125
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
125Bends, branchings or intersections
G02F 1/025
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
015based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
025in an optical waveguide structure
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
出願人
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 幸田 倫太郎 KODA Rintaro
  • 河野 俊介 KONO Shunsuke
代理人
  • 山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa
  • 吉井 正明 YOSHII Masaaki
優先権情報
2017-09227308.05.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER DEVICE ASSEMBLED BODY
(FR) CORPS ASSEMBLÉ DE DISPOSITIF LASER
(JA) レーザ装置組立体
要約
(EN)
This monolithic laser device assembled body 10A comprises a first gain unit 20 having a first end part 20A and a second end part 20B, a second gain unit 30 having a third end part 30A and a fourth end part 30B, a single or a multiple ring resonator 40, a semiconductor light amplifier 50 amplifying laser light delivered from the first gain unit 20, and a pulse selector 60 disposed between the first gain unit 20 and the semiconductor light amplifier 50. The ring resonator 40 is optically coupled to the first gain unit 20, and is optically coupled to the second gain unit 30. Laser oscillation is performed in any one of the first gain unit 20 and the second gain unit 30.
(FR)
L'invention concerne un corps assemblé de dispositif laser monolithique 10A comprenant une première unité de gain 20 ayant une première partie d'extrémité 20A et une seconde partie d'extrémité 20B, une seconde unité de gain 30 ayant une troisième partie d'extrémité 30A et une quatrième partie d'extrémité 30B, un résonateur en anneau 40 unique ou multiple, un amplificateur de lumière à semi-conducteur 50 amplifiant la lumière laser délivrée par la première unité de gain 20, et un sélecteur d'impulsions 60 disposé entre la première unité de gain 20 et l'amplificateur de lumière à semi-conducteur 50. Le résonateur en anneau 40 est couplé optiquement à la première unité de gain 20, et est optiquement couplé à la seconde unité de gain 30. Une oscillation laser est effectuée dans l'une quelconque de la première unité de gain 20 et de la seconde unité de gain 30.
(JA)
本開示のモノリシック型のレーザ装置組立体10Aは、第1端部20A及び第2端部20Bを有する第1利得部20、第3端部30A及び第4端部30Bを有する第2利得部30、1又は多重のリング共振器40、第1利得部20から出射されたレーザ光を増幅する半導体光増幅器50、及び、第1利得部20と半導体光増幅器50との間に配設されたパルス選別器60を備えており、リング共振器40は、第1利得部20と光結合しており、且つ、第2利得部30と光結合しており、第1利得部20及び第2利得部30のいずれか一方においてレーザ発振がなされる。
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