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1. (WO2018207396) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/207396    International Application No.:    PCT/JP2017/044514
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Dec 13 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 23/13
H01L 25/07
H01L 25/18
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: NOTSU, Hiroshi
野津 浩史
MICHIKOSHI, Hisato
道越 久人
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置は、炭化珪素を含む材料により形成されている半導体チップと、板状の絶縁体部の両面に、金属層が形成されたベース板と、ベース板の一方の面に、前記半導体チップを接合する接合材と、を有し、接合材は、接合後の融点が773℃以上の金属材料により形成されており、接合材の厚さは、50μm以下であり、ベース板の厚さは、500μm以上であり、絶縁体部の厚さをtIとし、金属層の厚さをtMとした場合に、tI/tMの値は、4.3以上である。