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1. (WO2018207355) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/207355    International Application No.:    PCT/JP2017/018051
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat May 13 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/223
H01L 21/205
H01S 5/343
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKAI, Eiji
中井 栄治
YAMAGUCHI, Harunaka
山口 晴央
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
ノンドープIII-V族化合物半導体からなる下層(3)の上に、ノンドープIII-V族化合物半導体からなる上層(4,5)を形成する。有機金属気相成長装置を用いた気相拡散により不純物原料ガスを供給しながら上層(4,5)に不純物を添加する。不純物原料ガスの供給を止める又は供給量を下げて気相拡散を続ける。