このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018207340) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/207340 国際出願番号: PCT/JP2017/018015
国際公開日: 15.11.2018 国際出願日: 12.05.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
出願人:
オリンパス株式会社 OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 東京都八王子市石川町2951番地 2951, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928507, JP
発明者:
青木 潤 AOKI Jun; JP
小山 友作 KOYAMA Yusaku; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
志賀 正武 SHIGA Masatake; JP
鈴木 三義 SUZUKI Mitsuyoshi; JP
高柴 忠夫 TAKASHIBA Tadao; JP
鈴木 史朗 SUZUKI Shirou; JP
橋本 宏之 HASHIMOTO Hiroyuki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
要約:
(EN) This solid-state imaging device is provided with a two-dimensional pixel array comprising unit pixels arrayed on a semiconductor substrate, each including a photo-electric conversion element converting incoming light into electrical signals, and a circuit element reading the converted electrical signals. With a plurality of adjacent unit pixels defined as one pixel group set, the two-dimensional pixel array comprises a row of a plurality of the one pixel group sets. The periphery of the one pixel group sets is surrounded, except for the mid-section of the plurality of adjacent unit pixels, by an insulating element dividing region that divides the semiconductor substrate into elements.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui est pourvu d'une matrice de pixels bidimensionnelle comprenant des pixels unitaires disposés en matrice sur un substrat semi-conducteur, comprenant chacun un élément de conversion photoélectrique convertissant la lumière entrante en signaux électriques, et un élément circuit lisant les signaux électriques convertis. Une pluralité de pixels unitaires adjacents étant définis comme un ensemble de groupes de pixels, la matrice de pixels bidimensionnelle comprend une rangée d'une pluralité d'ensembles de groupes de pixels adjacents. La périphérie des ensembles de groupes de pixels, à l'exception de la section médiane de la pluralité de pixels unitaires adjacents, est entourée par une région isolante de division en éléments qui divise le substrat semi-conducteur en éléments.
(JA) 固体撮像装置は、入射光を電気信号に変換する光電変換素子と、変換された電気信号を読み出す回路素子とを含む単位画素を半導体基板上に配列した二次元画素アレイを備え、隣接する複数の前記単位画素を1セットの画素群とするとき、前記二次元画素アレイは、前記1セットの画素群が複数並べられており、前記1セットの画素群においては、前記半導体基板を素子分離する絶縁性の素子分離領域によって、隣接する複数の前記単位画素の中間部分以外において、前記1セットの画素群の周囲が囲まれている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)