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1. (WO2018203540) レジスト下層膜形成組成物

Pub. No.:    WO/2018/203540    International Application No.:    PCT/JP2018/017314
Publication Date: Fri Nov 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Apr 28 01:59:59 CEST 2018
IPC: G03F 7/11
C08G 59/18
Applicants: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
日産化学株式会社
Inventors: OGATA, Hiroto
緒方 裕斗
HASHIMOTO, Yuto
橋本 雄人
TAMURA, Mamoru
田村 護
KISHIOKA, Takahiro
岸岡 高広
Title: レジスト下層膜形成組成物
Abstract:
【課題】露光時に反射防止膜として機能すると共に、狭スペース及び高アスペクト比の凹部を埋め込むことができ、更に過酸化水素水溶液に対する耐性に優れた、レジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 樹脂、下記式(1a)又は式(1b)で表される化合物、及び溶剤を含み、前記樹脂に対し、前記式(1a)又は式(1b)で表される化合物を0.01質量%乃至60質量%含有する、レジスト下層膜形成組成物。(式中、Xはカルボニル基又はメチレン基を表し、l及びmはそれぞれ独立に3≦l+m≦10の関係式を満たす0乃至5の整数を表し、nは2乃至5の整数を表す。)