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1. WO2018203422 - 半導体素子の駆動装置および電力変換装置

公開番号 WO/2018/203422
公開日 08.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2017/037323
国際出願日 16.10.2017
IPC
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1
変換装置の細部
08
静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1
変換装置の細部
38
スイッチング手段が同時導通することを防止するための手段
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
3
直流入力一直流出力変換
02
中間に交流変換をもたないもの
04
静止型変換器によるもの
10
制御電極を有する放電管または制御電極を有する半導体装置を使用するもの
145
制御信号の連続的印加を必要とする三極管またはトランジスタ型式の装置を用いるもの
155
半導体装置のみを用いるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H02M 1/08 (2006.01)
H02M 1/38 (2007.01)
H02M 3/155 (2006.01)
H02M 7/48 (2007.01)
CPC
H02M 1/08
H02M 1/38
H02M 3/155
H02M 7/48
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者
  • 恩田 航平 ONDA, Kohei; JP
  • 近藤 亮太 KONDO, Ryota; JP
  • 丹 陽平 TAN, Yohei; JP
  • 岩蕗 寛康 IWABUKI, Hiroyasu; JP
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報
2017-09100101.05.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT DRIVE DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ENTRAÎNEMENT D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体素子の駆動装置および電力変換装置
要約
(EN)
This semiconductor element drive device, by means of a power recovery function, reduces energy necessary for driving a gate, and prevents generation of a large current associated with arm short-circuiting, etc. A control circuit (150) executes short-circuiting protection control when generation of a short-circuit path associated with turning-on of a semiconductor element (10) is detected by a short-circuiting detection unit (160) during an on-period of a switching element (SW1) for turning the semiconductor element (10) on. In the short-circuiting protection control, periods for turning a switching element (SW4) on and for turning the switching element (SW1) off for cutting off the gate of the semiconductor element (10) and a DC power source (110), are provided. By turning the switching element (SW4) on, a current path through which the current flowing through a reactor (Lr) bypasses the gate, and a second path for discharging the gate, are formed.
(FR)
Ce dispositif d'entraînement d'élément semi-conducteur, au moyen d'une fonction de récupération d'énergie, réduit l'énergie nécessaire pour entraîner une grille, et empêche la génération d'un courant important associé à un court-circuit de bras, etc. Un circuit de commande (150) exécute une commande de protection contre les court-circuits lorsque la génération d'un trajet de court-circuit associé à la mise sous tension d'un élément semi-conducteur (10) est détectée par une unité de détection de court-circuit (160) pendant une période de marche d'un élément de commutation (SW1) pour mettre sous tension l'élément semi-conducteur (10). Dans la commande de protection contre les court-circuits, des périodes pour mettre sous tension un élément de commutation (SW4) et pour mettre hors tension l'élément de commutation (SW1) pour couper la grille de l'élément semi-conducteur (10) et un bloc d'alimentation CC (110) sont fournies. En mettant sous tension l'élément de commutation (SW4), un trajet de courant à travers lequel le courant circulant à travers un réacteur (Lr) contourne la grille, et un second trajet pour décharger la grille, sont formés.
(JA)
半導体素子の駆動装置において、電力回生機能によってゲート駆動に要するエネルギを低減するとともに、アーム短絡等に伴う大電流の発生を防止する。 制御回路(150)は、半導体素子(10)のターンオンのためにスイッチング素子(SW1)をオンしている期間中に、短絡検知部(160)によって半導体素子(10)のオンに伴う短絡経路の発生が検知されると、短絡保護制御を実行する。短絡保護制御では、直流電源(110)および半導体素子(10)のゲートを切り離すためにスイッチング素子(SW1)がオフされるとともに、スイッチング素子(SW4)がオンする期間が設けられる。スイッチング素子(SW4)のオンにより、リアクトル(Lr)を流れる電流がゲートを避けて流れる電流経路と、ゲートを放電する第2の経路とが形成される。
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