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1. (WO2018203175) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/203175    International Application No.:    PCT/IB2018/052790
Publication Date: Fri Nov 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Apr 24 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/336
H01L 21/8234
H01L 27/06
H01L 27/088
H01L 29/786
H03K 19/00
H03K 19/0948
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: KATO, Kiyoshi
加藤清
ATSUMI, Tomoaki
熱海知昭
YAMAZAKI, Shunpei
山崎舜平
Title: 半導体装置
Abstract:
要約書 消費電力が小さく、単極性のトランジスタで構成される半導体装置を提供する。 半導体装置は、直列に接続された第1乃至第3トランジスタと、第1トランジスタのソースに接続 された容量素子を有する。第1乃至第3トランジスタは、それぞれ、互いに接続された第1ゲート および第2ゲートを有する。第1トランジスタの第1ゲートには第1信号が入力され、第2トラン ジスタの第1ゲートには第1信号の反転信号が入力される。第1信号が高電位のとき、容量素子は 充電され、第1信号が低電位のとき、第1トランジスタのソースは、第3トランジスタの第1ゲー トに入力された信号の反転信号を出力する。