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1. WO2018199259 - 半導体装置及び電力変換装置並びに半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2018/199259
公開日 01.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/017062
国際出願日 26.04.2018
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
1
ハンダ付,例.ロー付,またはハンダ離脱
H01L 21/52 (2006.01)
B23K 1/00 (2006.01)
CPC
B23K 1/00
H01L 21/52
H01L 2224/29011
H01L 2224/2929
H01L 2224/29311
H01L 2224/29347
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者
  • 巽 裕章 TATSUMI, Hiroaki; JP
代理人
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako; JP
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei; JP
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka; JP
優先権情報
2017-08826827.04.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置及び電力変換装置並びに半導体装置の製造方法
要約
(EN)
A bonding material that contains first particles containing a first metal, second particles containing a second metal that has a lower melting point than the first metal, and a filling resin is supplied onto one of a semiconductor element and a conductor member, and a gap is formed in the surface of the supplied bonding material. The other of the conductor member and the semiconductor element is mounted on and pressed against the bonding material in which the gap was formed, the filling resin that was unevenly distributed on the surface of the bonding material is moved to the gap, and heating is performed at a bonding temperature. As a result, uneven distribution of the filling resin is suppressed, and it is possible to reliably bond the semiconductor element and the conductor member using a coupled structure in which the first particles are joined to each other by an intermetallic compound containing the first metal and the second metal, making it possible to obtain a semiconductor device having high bonding reliability.
(FR)
Selon la présente invention, un matériau de liaison renferme des premières particules contenant un premier métal, des secondes particules contenant un second métal à point de fusion inférieur à celui du premier métal, et une résine de remplissage est fournie sur un élément semi-conducteur ou sur un élément conducteur, un espace étant formé dans la surface du matériau de liaison fourni. L'autre élément parmi l'élément conducteur et l'élément semi-conducteur est monté sur le matériau de liaison et pressé contre ce dernier dans lequel l'espace a été formé, la résine de remplissage qui a été répartie de manière inégale sur la surface du matériau de liaison est déplacée vers l'espace, et un chauffage est effectué à une température de liaison. Par conséquent, une répartition inégale de la résine de remplissage est supprimée, et l'élément semi-conducteur et l'élément conducteur peuvent être liés de manière fiable au moyen d'une structure accouplée dans laquelle les premières particules sont jointes entre elles par le biais d'un composé intermétallique contenant les premier et second métaux, ce qui permet d'obtenir un dispositif à semi-conducteurs à fiabilité de liaison élevée.
(JA)
半導体素子あるいは導体部材のいずれか一方の上に、第1の金属を含む第1の粒子と、前記第1の金属よりも融点の低い第2の金属を含む第2の粒子と、充填樹脂とを含む接合材料を供給し、供給された前記接合材料の表面に空隙を形成する。前記空隙が形成された前記接合材料の上に前記導体部材あるいは前記半導体素子のいずれか他方を載置して押し付け、前記接合材料の表面に偏在した前記充填樹脂を前記空隙に移動させ、接合温度で加熱を行う。これにより、充填樹脂の偏在を抑制し、第1の金属および第2の金属を含む金属間化合物により第1の粒子同士が結合された連結構造により半導体素子と導体部材を確実に接合することができ、接合信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報