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1. (WO2018199241) Ga2O3系半導体素子

Pub. No.:    WO/2018/199241    International Application No.:    PCT/JP2018/017007
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 29/24
C30B 23/08
C30B 29/16
H01L 21/336
H01L 21/338
H01L 29/12
H01L 29/423
H01L 29/47
H01L 29/49
H01L 29/78
H01L 29/812
H01L 29/872
Applicants: NATIONAL INSTITUTE OF INFORMATION AND COMMUNICATIONS TECHNOLOGY
国立研究開発法人情報通信研究機構
TAMURA CORPORATION
株式会社タムラ製作所
NOVEL CRYSTAL TECHNOLOGY, INC.
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
Inventors: HIGASHIWAKI, Masataka
東脇 正高
NAKATA, Yoshiaki
中田 義昭
KAMIMURA, Takafumi
上村 崇史
WONG, Man Hoi
ワン マン ホイ
SASAKI, Kohei
佐々木 公平
WAKIMOTO, Daiki
脇本 大樹
Title: Ga2O3系半導体素子
Abstract:
一実施の形態として、ドナーを含む第2のGa2O3系結晶層11と、第2のGa2O3系結晶層11の全体に形成されたN添加領域と、を有する、Ga2O3系半導体素子1aを提供する。