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1. WO2018198960 - フルオレン化合物を用いたレジスト下層膜形成組成物

公開番号 WO/2018/198960
公開日 01.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/016274
国際出願日 20.04.2018
IPC
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
61
高分子の主鎖に炭素―炭素連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
12
高分子の主鎖に炭素以外の原子を含む高分子化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
G03F 7/11 (2006.01)
C08G 61/12 (2006.01)
H01L 21/027 (2006.01)
CPC
C08G 61/12
G03F 7/11
H01L 21/027
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
発明者
  • ▲徳▼永 光 TOKUNAGA Hikaru; JP
  • 橋本 圭祐 HASHIMOTO Keisuke; JP
  • 坂本 力丸 SAKAMOTO Rikimaru; JP
代理人
  • 特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; 東京都千代田区麹町5-3-1 麹町ビジネスセンター Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083, JP
  • 山村 大介 YAMAMURA Daisuke; JP
優先権情報
2017-08589825.04.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION COMPOSITION IN WHICH FLUORENE COMPOUND IS USED
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE UTILISANT UN COMPOSÉ DE FLUORÈNE
(JA) フルオレン化合物を用いたレジスト下層膜形成組成物
要約
(EN)
Provided are: a resist underlayer film formation composition combining high etching resistance, high heat resistance, and excellent coating properties; a resist underlayer film in which the resist underlayer film formation composition is used and a method for manufacturing the resist underlayer film; a method for forming a resist pattern; and a method for manufacturing a semiconductor device. The resist underlayer film formation composition is characterized by including the compound represented by formula (1), or a polymer derived from the compound represented by formula (1) (where: AA represents a single bond or a double bond; X1 represents –N(R1)–; X2 represents –N(R2)–; X3 represents –CH(R3)–; X4 represents –CH(R4)– etc.; R1, R2, R3, and R4 represent hydrogen atoms, C1-20 straight chain, branched, or cyclic alkyl groups, etc.; R5, R6, R9, and R10 represent hydrogen atoms, hydroxy groups, alkyl groups, etc.; R7 and R8 represent benzene rings or naphthalene rings; and n and o are 0 or 1). A semiconductor device is manufactured by: coating the composition on a semiconductor substrate, firing the coated composition, and forming a resist underlayer film; forming a resist film thereon with an inorganic resist underlayer film interposed therebetween selectively as desired; forming a resist pattern by irradiating light or electron radiation and developing; etching the underlayer film using the resist pattern; and processing the semiconductor substrate using the patterned underlayer film.
(FR)
L'invention concerne : une composition de formation de film de sous-couche de réserve combinant une résistance élevée à la gravure, une résistance élevée à la chaleur et d'excellentes propriétés de revêtement; un film de sous-couche de réserve dans lequel est utilisée la composition de formation de film de sous-couche de réserve et un procédé de fabrication du film de sous-couche de réserve; un procédé de formation d'un motif de réserve; et un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs. La composition de formation de film de sous-couche de réserve est caractérisée en ce qu'elle comprend le composé représenté par la formule (1), ou un polymère dérivé du composé représenté par la formule (1) (dans laquelle AA représente une liaison simple ou une liaison double; X1 représente –N(R1)–; X2 représente –N(R2)–; X3 représente –CH(R3)–; X4 représente –CH(R4)–, etc.; R1, R2, R3 et R4 représentent des atomes d'hydrogène, des groupes alkyle linéaires, ramifiés ou cycliques en C1-20, etc.; R5, R6, R9 et R10 représentent des atomes d'hydrogène, des groupes hydroxy, des groupes alkyle, etc.; R7 et R8 représentent des cycles benzène ou des cycles naphtalène; et n et o équivalent à 0 ou 1). Un dispositif à semi-conducteurs est fabriqué par : application de la composition sur un substrat semi-conducteur, cuisson de la composition appliquée, et formation d'un film de sous-couche de réserve; formation d'un film de réserve sur celui-ci, un film de sous-couche de réserve inorganique étant interposé entre ceux-ci de manière sélective selon les besoins; formation d'un motif de réserve par rayonnement de lumière ou rayonnement d'électrons et développement; gravure du film de sous-couche à l'aide du motif de réserve; et traitement du substrat semi-conducteur à l'aide du film de sous-couche à motif.
(JA)
高エッチング耐性、高耐熱性と良好な塗布性とを併せ持つレジスト下層膜形成組成物、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及びその製造方法、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。下記式(1) [式(1)中、AAは単結合又は二重結合を表し、Xは-N(R)-、Xは-N(R)-、Xは-CH(R)-、Xは-CH(R)-等を表し、R、R、R及びRは水素原子、C1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基等を表し、R、R、R及びR10は水素原子、ヒドロキシ基、アルキル基等を表し、R及びRはベンゼン環又はナフタレン環を表し、n及びoは0又は1である。]で示される化合物又は式(1)で示される化合物から誘導されるポリマーを含むことを特徴とするレジスト下層膜形成組成物とする。当該組成物を、半導体基板上に塗布・焼成してレジスト下層膜を形成し、その上に任意選択的に無機レジスト下層膜を介してレジスト膜を形成し、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成し、レジストパターンにより下層膜をエッチングし、パターン化された下層膜により半導体基板を加工して半導体装置を製造する。
他の公開
JP2019514458
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