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1. WO2018198885 - 基板処理方法および基板処理装置

公開番号 WO/2018/198885
公開日 01.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/015896
国際出願日 17.04.2018
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
B08B 3/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
08the liquid having chemical or dissolving effect
H01L 21/31133
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31127Etching organic layers
31133by chemical means
H01L 21/67028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
H01L 21/67051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
6704for wet cleaning or washing
67051using mainly spraying means, e.g. nozzles
H01L 21/67253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 辻川 裕貴 TSUJIKAWA, Hiroki
  • 田中 眞人 TANAKA, Masato
  • 奥村 剛 OKUMURA, Tsuyoshi
  • 三浦 淳靖 MIURA, Atsuyasu
  • ▲高▼岡 誠 TAKAOKA, Makoto
  • 宮路 信行 MIYAJI, Nobuyuki
  • 藤田 和宏 FUJITA, Kazuhiro
  • 澤崎 尚樹 SAWAZAKI, Naoki
  • 秋山 剛志 AKIYAMA, Takashi
  • 土橋 裕也 TSUCHIHASHI, Yuya
代理人
  • 特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS
優先権情報
2017-09026428.04.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約
(EN)
A substrate processing method includes a liquid discharge step for discharging a liquid from a nozzle facing a prescribed supply region on a main surface of a substrate held by a substrate-holding unit inside a chamber, a humidified gas supply step for supplying humidified gas having a higher humidity than that within the chamber to the main surface of the substrate in order to remove a charge that has been charged in the substrate, and a spin drying step for shaking off a liquid component of the main surface of the substrate by rotating the substrate around a prescribed rotation axis line after the liquid discharge step. The humidified gas supply step starts from before the start of the liquid discharge step, and ends at a prescribed end timing after the start of the liquid discharging step and before the spin drying step.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une étape d'évacuation de liquide consistant à évacuer un liquide par une buse orientée vers une région d'alimentation prescrite sur une surface principale d'un substrat maintenu par une unité de maintien de substrat dans une chambre; une étape d'alimentation en gaz humidifié consistant à fournir un gaz humidifié, dont l'humidité est plus élevée que l'humidité à l'intérieur de la chambre, sur la surface principale du substrat afin d'éliminer une charge qui a été chargée dans le substrat; et une étape de séchage par centrifugation consistant à éliminer par agitation un constituant liquide de la surface principale du substrat en mettant le substrat en rotation autour d'une ligne d'axe de rotation prescrite après l'étape d'évacuation de liquide. L'étape d'alimentation en gaz humidifié commence au début de l'étape d'évacuation de liquide et se termine à un temps de fin prescrit après le début de l'étape d'évacuation de liquide et avant l'étape de séchage par centrifugation.
(JA)
基板処理方法が、チャンバー内において基板保持ユニットに保持されている基板の主面における所定の供給領域に向けてノズルから液体を吐出する液体吐出工程と、前記基板に帯電している電荷を除去するために、前記基板の主面に、前記チャンバー内の湿度よりも高湿度の加湿気体を供給する加湿気体供給工程と、前記液体吐出工程の後に、前記基板を所定の回転軸線回りに回転させて当該基板の主面の液成分を振り切るスピンドライ工程とを含む。前記加湿気体供給工程が、前記液体吐出工程の開始前から開始し、前記液体吐出工程の開始よりも後でかつ前記スピンドライ工程の前の所定の終了タイミングにおいて終了する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報