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1. WO2018198849 - 発光装置およびプロジェクター

公開番号 WO/2018/198849
公開日 01.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/015666
国際出願日 16.04.2018
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
04
励起方法またはその装置,例.ポンピング
042
電気的励起
H01S 5/042 (2006.01)
CPC
出願人
  • セイコーエプソン株式会社 SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区新宿四丁目1番6号 1-6, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1608801, JP
発明者
  • 野田 貴史 NODA Takafumi; JP
  • 北野 洋司 KITANO Yoji; JP
代理人
  • 渡辺 和昭 WATANABE Kazuaki; JP
  • 仲井 智至 NAKAI Satoshi; JP
優先権情報
2017-08507924.04.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND PROJECTOR
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET PROJECTEUR
(JA) 発光装置およびプロジェクター
要約
(EN)
Provided is a light emitting device capable of suppressing a leak current. The light emitting device includes: a base body; a first semiconductor layer having a first conductivity type; a second semiconductor layer having a second conductivity type that is different from the first conductivity type; a light emitting layer, which is provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and which is capable of emitting light when a current is injected; and a third semiconductor layer, which is provided between the base body and the first semiconductor layer, and which has the second conductivity type. The first semiconductor layer is provided between the third semiconductor layer and the light emitting layer, and the third semiconductor layer has a recessed and projecting structure.
(FR)
L'invention concerne un dispositif électroluminescent capable de supprimer un courant de fuite. Le dispositif électroluminescent comprend : un corps de base; une première couche semi-conductrice ayant un premier type de conductivité; une seconde couche semi-conductrice ayant un second type de conductivité qui est différent du premier type de conductivité; une couche électroluminescente, qui est disposée entre la première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice, et qui est capable d'émettre de la lumière lorsqu'un courant est injecté; et une troisième couche semi-conductrice, qui est disposée entre le corps de base et la première couche semi-conductrice, et qui a le second type de conductivité. La première couche semi-conductrice est disposée entre la troisième couche semi-conductrice et la couche électroluminescente, et la troisième couche semi-conductrice a une structure évidée et saillante.
(JA)
リーク電流を抑制することができる発光装置を提供する。 基体と、第1導電型を有する第1半導体層と、前記第1導電型と異なる第2導電型を有する第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、前記基体と前記第1半導体層との間に設けられ、前記第2導電型を有する第3半導体層と、を含み、前記第1半導体層は、前記第3半導体層と前記発光層との間に設けられ、前記第3半導体層は、凹凸構造を有する、発光装置。
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