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1. (WO2018198797) シリコン単結晶の製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶、および、エピタキシャルシリコンウェーハ
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国際公開番号: WO/2018/198797 国際出願番号: PCT/JP2018/015381
国際公開日: 01.11.2018 国際出願日: 12.04.2018
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324
半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
発明者:
鳴嶋 康人 NARUSHIMA Yasuhito; JP
前川 浩一 MAEGAWA Koichi; JP
小川 福生 OGAWA Fukuo; JP
川上 泰史 KAWAKAMI Yasufumi; JP
代理人:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
優先権情報:
2017-08652925.04.2017JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL SILICON PRODUCTION METHOD, EPITAXIAL SILICON WAFER PRODUCTION METHOD, SINGLE CRYSTAL SILICON, AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL, SILICIUM MONOCRISTALLIN ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
(JA) シリコン単結晶の製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶、および、エピタキシャルシリコンウェーハ
要約:
(EN) This single crystal silicon production method comprises adding red phosphorous to a silicon melt in such a manner that the electric resistivity of the single crystal silicon is 0.5 mΩ·cm or higher but lower than 0.7 mΩ·cm, and pulling-up the single crystal silicon such that the time taken for the temperature of at least a portion of the straight trunk section of the single crystal silicon to reach a temperature range of 570°C ± 70°C is 10 to 50 minutes.
(FR) Cette invention concerne un procédé de production de silicium monocristallin comprenant l'ajout de phosphore rouge à une masse fondue de silicium de façon que la résistivité électrique du silicium monocristallin soit de 0,5 mΩ·cm ou plus mais inférieure à 0,7 mΩ·cm, et le tirage du silicium monocristallin de façon que le temps nécessaire pour que la température d'au moins une partie de la section tronc droit du silicium monocristallin atteigne une plage de températures de 570 °C ± 70 °C soit de 10 à 50 minutes.
(JA) シリコン単結晶の製造方法は、シリコン単結晶の電気抵抗率が0.5mΩ・cm以上0.7mΩ・cm未満となるように、シリコン融液に赤リンを添加し、シリコン単結晶の直胴部の少なくとも一部の温度が570℃±70℃の範囲内となる時間が10分以上50分以下となるように、シリコン単結晶を引き上げる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)