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1. WO2018198787 - 固体撮像装置、および電子機器

公開番号 WO/2018/198787
公開日 01.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/015349
国際出願日 12.04.2018
IPC
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
3745
1つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
H04N 5/3745 (2011.01)
CPC
H04N 5/3745
H04N 5/37455
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者
  • 高塚 挙文 TAKATSUKA Takafumi; JP
  • 杉森 友策 SUGIMORI Yusaku; JP
代理人
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報
2017-08721026.04.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、および電子機器
要約
(EN)
The present technology relates to a solid-state image capturing device and an electronic apparatus that can improve the efficiency with which charge is transferred from a charge accumulating unit to a charge voltage converting unit via a transfer gate. One aspect of the present technology provides a solid-state image capturing device configured such that: a switching unit switches to a LG state at least once and switches to an HG state at least once, prior to an A/D conversion operation for acquiring a signal level; the transfer unit transfers charge accumulated in a charge accumulating unit to a charge/voltage converting unit at least twice when the switching unit has been switched to the LG state and when the switching unit has been switched to the HG state; and the charge/voltage conversion unit adds a charge transferred when the switching unit has been switched to the LG state and a charge transferred when the switching unit has been switched to the HG state and converts the resulting charge into a voltage signal. The present technology can be applied to a CMOS image sensor, for example.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs et un appareil électronique qui peuvent améliorer l'efficacité avec laquelle une charge est transférée d'une unité d'accumulation de charge vers une unité de conversion de tension/charge par l'intermédiaire d'une grille de transfert. Un aspect de la présente invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs configuré de telle sorte que : une unité de commutation passe vers un état LG au moins une fois et passe vers un état HG au moins une fois, avant une opération de conversion A/N permettant d'acquérir un niveau de signal ; l'unité de transfert transfère la charge accumulée dans une unité d'accumulation de charge vers une unité de conversion de charge/tension au moins deux fois lorsque l'unité de commutation est passée vers l'état LG et lorsque l'unité de commutation est passée vers l'état HG ; et l'unité de conversion de charge/tension ajoute une charge transférée lorsque l'unité de commutation est passée vers l'état LG et une charge transférée lorsque l'unité de commutation est passée vers l'état HG et convertit la charge résultante en un signal de tension. La présente technologie peut être mise en œuvre sur un capteur d'image CMOS, par exemple.
(JA)
本技術は、電荷蓄積部から転送ゲートを介する電荷電圧変換部への電荷の転送効率を改善させることができるようにする固体撮像装置、および電子機器に関する。 本技術の一側面である固体撮像装置は、信号レベル取得用のA/D変換動作前において、切り替え部は、少なくとも1回前記LG状態に切り替え、かつ、少なくとも1回前記HG状態に切り替えるように構成され、転送部は、前記LG状態に切り替えられているとき、および前記HG状態に切り替えられているときの少なくとも2回、前記電荷蓄積部に蓄積されている電荷を前記電荷電圧変換部に転送するように構成され、電荷電圧変換部は、前記LG状態に切り替えられているときに転送された電荷と、前記HG状態に切り替えられているときに転送された電荷を加算して電圧信号に変換するように構成される。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
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