処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2018198718 - 半導体ウエハ及び半導体ウエハの研磨方法

公開番号 WO/2018/198718
公開日 01.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/014679
国際出願日 06.04.2018
IPC
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C30B 29/40 (2006.01)
H01L 21/304 (2006.01)
CPC
B24B 37/08
B24B 37/20
B24B 57/02
C30B 29/40
H01L 21/02013
H01L 21/02016
出願人
  • JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
発明者
  • 吉田 拓 YOSHIDA Taku; JP
  • 栗田 英樹 KURITA Hideki; JP
代理人
  • アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL; JP
  • 小越 勇 OGOSHI Isamu; JP
優先権情報
2017-08958128.04.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) TRANCHE SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR POLIR UNE TRANCHE SEMICONDUCTRICE
(JA) 半導体ウエハ及び半導体ウエハの研磨方法
要約
(EN)
The present invention provides: an InP wafer optimized from the viewpoint of small edge roll-off (ERO) and sufficiently high flatness even in the vicinity of a wafer edge; and an effective method for manufacturing said InP wafer. According to the present invention, a method including a two-stage polishing step is used, in which, while supplying a bromine-containing polishing liquid to at least one surface of an InP single crystal substrate, a first stage polishing is performed for a processing time of 0.1-5 minutes under a processing pressure of 10-200 g/cm2, and a second stage polishing is performed for a processing time of 0.5-10 minutes under a processing pressure of 200-500 g/cm2 or under a processing pressure higher than that of the first stage polishing by at least 50 g/cm2, wherein an InP wafer has a wafer roll-off value (ROA) of -1.0 to 1.0 μm.
(FR)
La présente invention concerne : une tranche d'InP optimisée du point de vue d'un faible décollement des bords (edge roll-off - ERO) et d'une planéité suffisamment élevée même à proximité d'un bord de tranche; et un procédé efficace de fabrication de ladite tranche d'InP. Selon la présente invention, un procédé comprenant une étape de polissage en deux étapes est utilisé, dans lequel, tout en fournissant un liquide de polissage contenant du brome à au moins une surface d'un substrat de monocristal d'InP, un polissage de première étape est effectué pendant une durée de traitement de 0,1-5 minutes sous une pression de traitement de 10-200 g/cm2 et un polissage de deuxième étape est effectué pendant une durée de traitement de 0,5-10 minutes sous une pression de traitement de 200-500 g/cm2 ou sous une pression de traitement supérieure d'au moins 50 g/cm2 à celle du polissage de première étape, une tranche d'InP présentant une valeur de décollement de tranche (ROA) de -1,0 à 1,0 µm.
(JA)
エッジロールオフ(ERO)が小さく、ウエハ端部の近傍においても十分に平坦性が高いという観点から最適化されたInPウエハと、そのようなInPウエハの製造に効果的な方法を提供する。 InP単結晶基板の少なくとも片面に対し、臭素を含む研磨液を供給しつつ、加工圧力10~200g/cm、加工時間0.1~5分間で一段目の研磨を行い、加工圧力200~500g/cm、かつ前記一段目の研磨より50g/cm以上高い加工圧力、加工時間0.5~10分間で二段目の研磨を行う二段階研磨工程を含む方法を用い、ウエハのロールオフ値(ROA)が-1.0μm~1.0μmであるInPウエハとする。 
国際事務局に記録されている最新の書誌情報