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1. (WO2018198691) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
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国際公開番号: WO/2018/198691 国際出願番号: PCT/JP2018/014227
国際公開日: 01.11.2018 国際出願日: 03.04.2018
IPC:
H04N 5/3745 (2011.01) ,H03M 1/56 (2006.01) ,H04N 5/335 (2011.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
3745
1つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
H 電気
03
基本電子回路
M
符号化,復号化または符号変換一般
1
アナログ/デジタル変換;デジタル/アナログ変換
12
アナログ/デジタル変換器
50
時間間隔への中間変換を行うもの
56
入力信号を線形のランプ信号と比較するもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
榊原 雅樹 SAKAKIBARA, Masaki; JP
川崎 凌平 KAWASAKI, Ryohei; JP
代理人:
丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
優先権情報:
2017-08600625.04.2017JP
2017-13956719.07.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE AND CONTROL METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
要約:
(EN) The present invention allows a high-quality image to be captured in a solid-state imaging element that detects an address event. This solid-state imaging element is provided with a pixel array unit in which a plurality of pixels including a specific pixel are arranged in a two-dimensional lattice shape. The specific pixel is provided with a pixel circuit and two analog-digital converters. The pixel circuit outputs two analog signals corresponding to the quantity of an electric charge generated by photoelectric conversion. The two analog-digital converters respectively convert the two analog signals into digital signals using mutually different resolutions.
(FR) La présente invention permet de capturer une image de haute qualité dans un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui détecte un événement d'adresse. Ce dispositif d’imagerie à semi-conducteurs est pourvu d'une unité de matrice de pixels dans laquelle une pluralité de pixels comprenant un pixel spécifique sont disposés dans une forme de réseau bidimensionnelle. Le pixel spécifique est pourvu d'un circuit de pixel et de deux convertisseurs analogiques-numériques. Le circuit de pixel émet deux signaux analogiques correspondant à la quantité d'une charge électrique générée par conversion photoélectrique. Les deux convertisseurs analogiques-numériques convertissent respectivement les deux signaux analogiques en signaux numériques en utilisant des résolutions mutuellement différentes.
(JA) アドレスイベントを検出する固体撮像素子において、高画質の画像を撮像する。 固体撮像素子は、特定画素を含む複数の画素が二次元格子状に配列された画素アレイ部を具備する。その特定画素は、画素回路と2つのアナログデジタル変換器とを備える。画素回路は、光電変換により生じた電荷の量に応じた2つのアナログ信号を出力する。2つのアナログデジタル変換器は、2つのアナログ信号のそれぞれを互いに異なる分解能によりデジタル信号に変換する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)