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1. (WO2018198606) n型シリコン単結晶の製造方法、n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ

Pub. No.:    WO/2018/198606    International Application No.:    PCT/JP2018/011125
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Mar 21 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 29/06
C30B 15/04
C30B 15/10
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: MAEGAWA Koichi
前川 浩一
NARUSHIMA Yasuhito
鳴嶋 康人
KAWAKAMI Yasufumi
川上 泰史
OGAWA Fukuo
小川 福生
KIHARA Ayumi
木原 亜由美
Title: n型シリコン単結晶の製造方法、n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ
Abstract:
赤リンを主たるドーパントとして含むシリコン融液(9)から、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶(10)を引き上げて成長させるn型シリコン単結晶の製造方法は、シリコン単結晶(10)の直胴径に対して、内径が1.7倍以上、2.3倍以下の石英ルツボ(3A)を用いて、電気抵抗率が0.5mΩcm以上、1.0mΩcm以下のシリコン単結晶(10)の引き上げを行う。