国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018198583) シリコンウエーハの研磨方法

Pub. No.:    WO/2018/198583    International Application No.:    PCT/JP2018/010367
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Mar 17 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/304
B24B 37/015
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: TANAKA Yuki
田中 佑宜
KAMIHAMA Naoki
上▲濱▼ 直紀
Title: シリコンウエーハの研磨方法
Abstract:
本発明は、定盤に貼り付けた研磨布上に砥粒を含むアルカリ水溶液を供給しつつ、前記研磨布に研磨ヘッドが保持するシリコンウエーハの表面を摺接させて研磨する第一研磨工程、及び、前記研磨布に砥粒を含まずに高分子ポリマーを含むアルカリ水溶液を供給しつつ、前記研磨布に前記シリコンウエーハの表面を摺接させて研磨する第二研磨工程とを有するシリコンウエーハの研磨方法であって、前記第二研磨工程中の前記研磨布の表面温度を、前記第一研磨工程中の前記研磨布の表面温度よりも2℃以上高くなるように、前記研磨布の表面温度を制御して前記シリコンウエーハの研磨を行うことを特徴とするシリコンウエーハの研磨方法である。これにより、高い平坦度(フラットネス)と表面粗さの低減を両立することができるシリコンウエーハの研磨方法が提供される。