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1. (WO2018198575) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/198575    International Application No.:    PCT/JP2018/010274
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Mar 16 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/78
H01L 29/739
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: SUMITOMO Masakiyo
住友 正清
Title: 半導体装置
Abstract:
ドリフト層(11)、ベース層(12)、CS層(13)、コレクタ層(22)を有する半導体基板(10)にゲート電極(16a、16b)を有する複数のトレンチゲート構造が形成され、複数のゲート電極(16a、16b)は、所定のゲート電圧が印加される第1ゲート電極(16a)と、第1電極(20)と電気的に接続された第2ゲート電極(16b)とを有している。また、複数の第1ゲート電極(16a)は、少なくとも一部が隣合って配置され、CS層(13)は、少なくとも隣合う第1、第2ゲート電極(16a、16b)の間に配置されている。そして、隣合う第1ゲート電極(16a)同士の間の領域は、電流が流れる際、第2電極(23)から供給された第2キャリアが抜け易くなるように、隣合う第1、第2ゲート電極(16a、16b)の間に形成されたCS層(13)より第1導電型の不純物濃度が低くされた領域を有している。