国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018198521) 貼り合わせウェーハの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/198521    International Application No.:    PCT/JP2018/007254
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Feb 28 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/02
H01L 21/265
H01L 27/12
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: YOKOKAWA Isao
横川 功
Title: 貼り合わせウェーハの製造方法
Abstract:
本発明は、バッチ式イオン注入機を使用したイオン注入工程を有する貼り合わせウェーハの製造方法において、ボンドウェーハへのイオン注入工程を、ボンドウェーハの表面に絶縁膜を形成せずに、又は、ボンドウェーハの表面に形成した厚さ50nm以下の絶縁膜を通し、かつ、ボンドウェーハの結晶軸に対して注入角度を傾けて軽元素イオンのビームを照射するものとし、軽元素イオンのビーム中心が、ボンドウェーハの中心からボンドウェーハの表面における回転体の中心方向と平行な方向に所定量ずれた位置を照射するように、ボンドウェーハの全面に前記軽元素イオンのビームを照射してイオン注入を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法である。これにより、イオン注入深さの面内均一性の悪化を抑制することができ、剥離後の薄膜厚さの面内均一性に優れた貼り合わせウェーハを製造することができる貼り合わせウェーハの製造方法が提供される。