国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018198488) シリコン単結晶の引上げ方法

Pub. No.:    WO/2018/198488    International Application No.:    PCT/JP2018/005150
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Feb 16 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 29/06
C30B 15/10
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: ABE, Takahiro
安部 貴裕
Title: シリコン単結晶の引上げ方法
Abstract:
チョクラルスキー法により、石英坩堝内で結晶用シリコン原料を溶融させた溶融液からシリコン単結晶を引上げて育成させるシリコン単結晶の引上げ方法において、石英坩堝の内壁が合成石英層であるとき、結晶用シリコン原料を石英坩堝内に充填する前に、失透促進剤と増粘剤と溶媒とを含むジェル状液体を石英坩堝内壁の底面に、或いは底面と側面の双方に塗布し、石英坩堝の内壁が天然石英層であるとき、結晶用シリコン原料を石英坩堝内に充填する前に、ジェル状液体を石英坩堝内壁の内壁の底面と側面の双方に塗布する。