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1. (WO2018198486) 固体撮像素子および電子機器

Pub. No.:    WO/2018/198486    International Application No.:    PCT/JP2018/004875
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Feb 14 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 27/146
H04N 5/369
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: NAKAGAWA, Haruyuki
中川 遥之
Title: 固体撮像素子および電子機器
Abstract:
縦型ゲート電極を有する転送ゲートにおいて電荷転送効率を向上させる。 固体撮像素子は、光電変換部と、電荷蓄積部と、転送ゲートとを備える。光電変換部は、半導体基板の深さ方向に形成されて、受光量に応じた電荷を生成する。電荷蓄積部は、光電変換部により生成された電荷を蓄積する。転送ゲートは、光電変換部の電荷を電荷蓄積部に転送する。転送ゲートは、半導体基板の界面から所定の深さまで埋め込まれて、半導体基板の深さ方向に少なくとも一部の径が異なる複数の縦型ゲート電極を備える。