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1. WO2018198486 - 固体撮像素子および電子機器

公開番号 WO/2018/198486
公開日 01.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/004875
国際出願日 13.02.2018
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H01L 27/146 (2006.01)
H04N 5/369 (2011.01)
CPC
H01L 27/146
H04N 5/369
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者
  • 中川 遥之 NAKAGAWA, Haruyuki; JP
代理人
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
優先権情報
2017-09053628.04.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC MACHINE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子および電子機器
要約
(EN)
This invention improves charge transfer efficiency in a transfer gate having a vertical gate electrode. This solid-state imaging element comprises a photoelectric conversion unit, a charge accumulation unit, and the transfer gate. The photoelectric conversion unit is formed in the depth direction of a semiconductor substrate, and generates a charge in response to the amount of light received. The charge accumulation unit accumulates the charge generated by the photoelectric conversion unit. The transfer gate transfers the charges from the photoelectric conversion unit to the charge accumulation unit. The transfer gate comprises a plurality of vertical gate electrodes, each being embedded to a predetermined depth from the semiconductor substrate interface, and whereof at least a section in the semiconductor substrate depth direction has a different diameter.
(FR)
La présente invention améliore l'efficacité de transfert de charge dans une grille de transfert ayant une électrode de grille verticale. Cet élément d'imagerie à semi-conducteur comprend une unité de conversion photoélectrique, une unité d'accumulation de charge et la grille de transfert. L'unité de conversion photoélectrique est formée dans la direction de la profondeur d'un substrat semi-conducteur, et génère une charge en réponse à la quantité de lumière reçue. L'unité d'accumulation de charge accumule la charge générée par l'unité de conversion photoélectrique. La grille de transfert transfère les charges de l'unité de conversion photoélectrique à l'unité d'accumulation de charge. La grille de transfert comprend une pluralité d'électrodes de grille verticales, chacune étant incorporée à une profondeur prédéterminée à partir de l'interface de substrat semi-conducteur, et dont au moins une section dans la direction de profondeur de substrat semi-conducteur a un diamètre différent.
(JA)
縦型ゲート電極を有する転送ゲートにおいて電荷転送効率を向上させる。 固体撮像素子は、光電変換部と、電荷蓄積部と、転送ゲートとを備える。光電変換部は、半導体基板の深さ方向に形成されて、受光量に応じた電荷を生成する。電荷蓄積部は、光電変換部により生成された電荷を蓄積する。転送ゲートは、光電変換部の電荷を電荷蓄積部に転送する。転送ゲートは、半導体基板の界面から所定の深さまで埋め込まれて、半導体基板の深さ方向に少なくとも一部の径が異なる複数の縦型ゲート電極を備える。
他の公開
EP2018792040
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