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1. (WO2018198426) 半導体素子の駆動方法および駆動装置、ならびに、電力変換装置
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国際公開番号: WO/2018/198426 国際出願番号: PCT/JP2017/045499
国際公開日: 01.11.2018 国際出願日: 19.12.2017
IPC:
H03K 17/16 (2006.01) ,H02M 1/08 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01) ,H03K 17/56 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
16
混信電圧または混信電流を消去するための変形
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1
変換装置の細部
08
静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51
特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56
能動素子として半導体装置を用いるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
和田 幸彦 WADA, Yukihiko; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-08721426.04.2017JP
発明の名称: (EN) DRIVING METHOD AND DRIVING DEVICE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'EXCITATION ET DISPOSITIF D'EXCITATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体素子の駆動方法および駆動装置、ならびに、電力変換装置
要約:
(EN) This semiconductor element is on/off-controlled by controlling a gate voltage according to a driving control signal (Ssw). When a gate of the semiconductor element is driven according to the driving control signal (Ssw), gate driving ability is temporally decreased by changing a driving signal (Sdr) from "1" to "0" at a first time (t1), after starting a mirror period (200) of the gate voltage (Vg), in comparison with a period to the first time (t1) from a start time (ts) of a turn-on operation. In addition, at a second time (t2) according to a termination of the mirror period (200), the gate driving ability is increased by changing the driving signal (Sdr) from "0" to "1".
(FR) Cet élément semi-conducteur est commandé de manière à être activé/désactivé par commande d'une tension de grille en fonction d'un signal de commande d'attaque (Ssw). Lorsqu'une grille de l'élément semi-conducteur est excitée selon le signal de commande d'attaque (Ssw), la capacité d'excitation de grille est temporairement diminuée en faisant passer un signal d'attaque (Sdr) de « 1 » à « 0 » à un premier instant (t1), après le démarrage d'une période miroir (200) de la tension de grille (Vg), par rapport à une période allant jusqu'au premier instant (t1) à partir d'un instant de début (ts) d'une opération de mise en marche. De plus, à un second instant (t2) selon la fin de la période miroir (200), la capacité d'excitation de grille est augmentée en faisant passer le signal d'attaque (Sdr) de « 0 » à « 1 ».
(JA) 半導体素子は、駆動制御信号(Ssw)に従ってゲート電圧が制御されることでオンオフ制御される。駆動制御信号(Ssw)に従って半導体素子のゲートを駆動するときに、ゲート電圧(Vg)のミラー期間(200)の開始後の第1の時刻(t1)において、駆動信号(Sdr)を"1"から"0"に変化させることにより、ターンオン動作の開始時刻(ts)から第1の時刻(t1)までの期間と比較して、ゲート駆動能力が一時的に低下される。さらに、ミラー期間(200)の終了に応じた第2の時刻(t2)において、駆動信号(Sdr)を"0"から"1"に変化させることにより、ゲート駆動能力が上昇される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)