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1. (WO2018198199) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/198199    International Application No.:    PCT/JP2017/016385
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Apr 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/3205
H01L 21/768
H01L 23/522
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: MIURA, Takeshi
三浦 猛
Title: 半導体装置
Abstract:
下地材料(1)の上に絶縁膜(2)が形成されている。絶縁膜(2)は、中央部で下地材料から剥がれる方向にストレスがかかる圧縮膜である。絶縁膜(2)の中央部に凹部(3)が形成されて厚みが部分的に薄くなっている。