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1. (WO2018198193) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/198193    International Application No.:    PCT/JP2017/016359
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Apr 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: G02B 6/122
H01S 5/026
H01S 5/50
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKAMURA, Naoki
中村 直幹
NAKAI, Eiji
中井 栄治
SHINOHARA, Kosuke
篠原 弘介
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
本願の発明に係る半導体装置は、第1導波路と、第1導波路の一端から伸び、第1導波路よりも幅が狭い第2導波路と、第1導波路と第2導波路とを取り囲む電流ブロック層と、を備え、第1導波路の一端には、第1導波路と第2導波路との接続部よりも第2導波路側に突出した複数の第1凸部が、第2導波路の両側にそれぞれ設けられ、複数の第1凸部の各々には(0-1-1)面が形成されていない。