国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018197988) 半導体装置、および半導体装置の作製方法

Pub. No.:    WO/2018/197988    International Application No.:    PCT/IB2018/052617
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Apr 17 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/336
C23C 16/40
H01L 21/31
H01L 21/316
H01L 21/8242
H01L 27/108
H01L 27/1156
H01L 29/786
H01L 29/788
H01L 29/792
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei
山崎舜平
TEZUKA, Sachiaki
手塚祐朗
KOMAGATA, Hiroki
駒形大樹
EGI, Yuji
恵木勇司
OKUNO, Naoki
奥野直樹
Title: 半導体装置、および半導体装置の作製方法
Abstract:
要約書 良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 酸化物上に第1の絶縁体を形成し、 第1の絶縁体上に第2の絶縁体を形成し、 第2の絶縁体上に導電 体を形成し、 酸化物の上面と、 第1の絶縁体の側面と、 第2の絶縁体の側面と、 導電体の側面に接す る第3の絶縁体を形成し、第1の絶縁体、および第2の絶縁体は、減圧雰囲気下にて連続で形成する。