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1. (WO2018194153) 電力用半導体モジュール、電子部品および電力用半導体モジュールの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/194153 国際出願番号: PCT/JP2018/016263
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 20.04.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01G 4/228 (2006.01) ,H01G 4/30 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/34 (2006.01) ,H01L 25/00 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
002
細部
228
端子部
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
30
積層型コンデンサ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
柳本 辰則 YANAGIMOTO, Tatsunori; JP
堀口 剛司 HORIGUCHI, Takeshi; JP
中原 賢太 NAKAHARA, Kenta; JP
宮崎 裕二 MIYAZAKI, Yuji; JP
清水 康貴 SHIMIZU, Yasutaka; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-08462521.04.2017JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE, ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体モジュール、電子部品および電力用半導体モジュールの製造方法
要約:
(EN) Provided is a power semiconductor device which is capable of suppressing ringing that occurs during a switching operation of a switching element, and which has high reliability. A power semiconductor module according to the present invention is provided with: a semiconductor element (204); conductor patterns (203a, 203d-203f); a snubber circuit; a sealing body (205); a metal terminal (306b) that functions as an intermediate member; and a solder bonding part (211) that functions as a bonding material. The semiconductor element (204) is connected to the conductor patterns (203a, 203d-203f). The snubber circuit (106) is a circuit wherein a capacitor main body part (306a) and a resistor (210) are connected in series with each other. The sealing body (205) seals the semiconductor element (204), the conductor patterns (203a, 203d-203f, 203h), the capacitor main body part (306a) and the resistor (210). The metal terminal (306b), which is connected to the capacitor main body part (306a), is connected to the conductor patterns (203e, 203f) by means of the solder bonding part (211).
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur de puissance qui est capable de supprimer la suroscillation qui se produit pendant une opération de commutation d'un élément de commutation, et qui a une fiabilité élevée. Un module semi-conducteur de puissance selon la présente invention comprend : un élément semi-conducteur (204); des motifs conducteurs (203a, 203d-203f); un circuit d'amortissement; un corps d'étanchéité (205); une borne métallique (306b) qui fonctionne comme un élément intermédiaire; et une partie de liaison par brasure (211) qui fonctionne comme un matériau de liaison. L'élément semi-conducteur (204) est connecté aux motifs conducteurs (203a, 203d-203f). Le circuit d'amortissement (106) est un circuit dans lequel une partie de corps principal de condensateur (306a) et une résistance (210) sont connectées en série l'une à l'autre. Le corps d'étanchéité (205) scelle l'élément semi-conducteur (204), les motifs conducteurs (203a, 203d-203f, 203h), la partie de corps principal de condensateur (306a) et la résistance (210). La borne métallique (306b), qui est connectée à la partie de corps principal de condensateur (306a), est connectée aux motifs conducteurs (203e, 203f) au moyen de la partie de liaison par brasure (211).
(JA) スイッチング素子のスイッチング動作時に発生するリンギングを抑制する事ができ、高い信頼性を有する電力用半導体装置を提供する。電力用半導体モジュールは、半導体素子(204)と、導体パターン(203a、203d~203f)と、スナバ回路と、封止体(205)と、中間部材としての金属端子(306b)と、接合材としてのはんだ接合部(211)とを備える。導体パターン(203a、203d~203f)には、半導体素子(204)が接続される。スナバ回路(106)は、コンデンサ本体部(306a)と抵抗体(210)とが直列に接続された回路である。封止体(205)は、半導体素子(204)、導体パターン(203a、203d~203f、203h)、コンデンサ本体部(306a)および抵抗体(210)を封止する。コンデンサ本体部(306a)に接続される金属端子(306b)は、はんだ接合部(211)により導体パターン(203e、203f)に接続される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)