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1. (WO2018194133) 半導体基板の製造方法、半導体装置およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/194133 国際出願番号: PCT/JP2018/016187
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 19.04.2018
IPC:
H01L 21/56 (2006.01) ,C09J 5/00 (2006.01) ,C09J 179/08 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
5
一般的接着方法;他の分類に規定されない接着方法,例.下塗りに関連するもの
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
179
グループ161/00から177/00に属さない,主鎖のみに酸素または炭素を含みまたは含まずに窒素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づく接着剤
04
主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合体;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のボリイミド前駆物質
08
ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
出願人:
三井化学株式会社 MITSUI CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目5番2号 5-2, Higashi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1057122, JP
発明者:
鎌田 潤 KAMADA, Jun; --
春田 佳一郎 HARUTA, Kaichiro; --
畦崎 崇 UNEZAKI, Takashi; --
今川 清水 IMAGAWA, Kiyomi; --
藤井 謙一 FUJII, Kenichi; --
茅場 靖剛 KAYABA, Yasuhisa; --
高村 一夫 KOHMURA, Kazuo; --
代理人:
鷲田 公一 WASHIDA, Kimihito; JP
優先権情報:
2017-08469421.04.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体基板の製造方法、半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a semiconductor substrate manufacturing method, for example, which prevents detachment and the like of a semiconductor wafer being ground, and which prevents cracking or chipping in a semiconductor substrate obtained. In order to solve the problem, the semiconductor substrate manufacturing method comprises: a polyimide layer forming step of forming a polyimide layer on a support material; a wafer attaching step of affixing the support material and a circuit-formed surface of a semiconductor wafer to each other with the polyimide layer disposed therebetween; a wafer grinding step of grinding a non-circuit-formed surface of the semiconductor wafer with the support material affixed thereto; a support material peeling step of peeling the support material from the polyimide layer; and a polyimide layer peeling step of peeling the polyimide layer from the semiconductor wafer. The polyimide layer includes polyimide which includes a benzophenone skeleton and a structure derived from diamine having an aliphatic chain, wherein an amine equivalent weight is 4000 to 20000.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication de substrat semi-conducteur, par exemple, qui empêche le détachement et analogue d'une tranche de semi-conducteur qui est meulée, et qui empêche la fissuration ou l'écaillage d'un substrat semi-conducteur obtenu. Afin de résoudre le problème, le procédé de fabrication de substrat semi-conducteur comprend : une étape de formation de couche de polyimide consistant à former une couche de polyimide sur un matériau de support ; une étape de fixation de tranche consistant à fixer le matériau de support et une surface constituée d'un circuit d'une tranche de semi-conducteur l'un à l'autre, la couche de polyimide étant disposée entre ceux-ci ; une étape de meulage de tranche consistant à meuler une surface non constituée d'un circuit de la tranche de semi-conducteur, le matériau de support étant fixé à celle-ci ; une étape de pelage de matériau de support consistant à peler le matériau de support à partir de la couche de polyimide ; et une étape de pelage de couche de polyimide consistant à peler la couche de polyimide à partir de la tranche de semi-conducteur. La couche de polyimide comprend un polyimide qui comprend un squelette de benzophénone et une structure dérivée d'une diamine ayant une chaîne aliphatique, un poids équivalent d'amine étant de 4 000 à 20 000.
(JA) 本発明は、研削中の半導体ウエハの脱落等がなく、さらに得られる半導体基板に割れや欠け等がない、半導体基板の製造方法等の提供を目的とする。 上記課題を解決するため、半導体基板の製造方法は、支持材上にポリイミド層を形成するポリイミド層形成工程と、前記支持材と、半導体ウエハの回路形成面とを、前記ポリイミド層を介して貼り合わせるウエハ貼付工程と、前記支持材が貼り付けられた前記半導体ウエハの回路非形成面を研削するウエハ研削工程と、前記ポリイミド層から前記支持材を剥離する支持材剥離工程と、前記半導体ウエハから前記ポリイミド層を剥離するポリイミド層剥離工程と、を含む。前記ポリイミド層は、ベンゾフェノン骨格と、かつ脂肪族鎖を有するジアミン由来の構造とを含み、アミン当量が4000~20000であるポリイミドを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)