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1. (WO2018194030) 半導体素子およびその製造方法、並びに電子機器
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国際公開番号: WO/2018/194030 国際出願番号: PCT/JP2018/015730
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 16.04.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G01J 1/02 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H04N 5/33 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
G 物理学
01
測定;試験
J
赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1
測光,例.写真の露出計
02
細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
33
赤外線の変換
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
齋藤 卓 SAITO, Suguru; JP
藤井 宣年 FUJII, Nobutoshi; JP
松本 良輔 MATSUMOTO, Ryosuke; JP
財前 義史 ZAIZEN, Yoshifumi; JP
萬田 周治 MANDA, Shuji; JP
丸山 俊介 MARUYAMA, Shunsuke; JP
清水 秀夫 SHIMIZU, Hideo; JP
代理人:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2017-08256219.04.2017JP
PCT/JP2018/00903808.03.2018JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体素子およびその製造方法、並びに電子機器
要約:
(EN) A semiconductor element which is provided with: an element substrate having an element region that is formed by laminating a wiring layer and a first semiconductor layer containing a compound semiconductor material and a peripheral region that is positioned outside the element region; and a read circuit substrate which faces the first semiconductor layer, with the wiring layer being interposed therebetween, and which is electrically connected to the first semiconductor layer via the wiring layer. The peripheral region of the element substrate has a surface to be bonded with the read circuit substrate.
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur comprenant : un substrat d'élément ayant une région d'élément qui est formée par stratification d'une couche de câblage et d'une première couche semi-conductrice contenant un matériau semi-conducteur composé et une région périphérique qui est positionnée à l'extérieur de la région d'élément; et un substrat de circuit de lecture qui fait face à la première couche semi-conductrice, la couche de câblage étant interposée entre ceux-ci, et qui est électroconnectée à la première couche semi-conductrice par l'intermédiaire de la couche de câblage. La région périphérique du substrat d'élément a une surface devant être liée au substrat de circuit de lecture.
(JA) 配線層と化合物半導体材料を含む第1半導体層とが積層して設けられた素子領域、および前記素子領域の外側の周辺領域を有する素子基板と、前記配線層を間にして前記第1半導体層に対向し、前記配線層を介して前記第1半導体層に電気的に接続された読出回路基板とを備え、前記素子基板の前記周辺領域は、前記読出回路基板との接合面を有する半導体素子。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)