このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018193971) 加工対象物切断方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/193971 国際出願番号: PCT/JP2018/015440
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 12.04.2018
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
[IPC code unknown for B23K 26/53]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
坂本 剛志 SAKAMOTO Takeshi; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2017-08155817.04.2017JP
発明の名称: (EN) WORKPIECE CUTTING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE COUPE DE PIÈCE DE FABRICATION
(JA) 加工対象物切断方法
要約:
(EN) This workpiece cutting method is provided with: a first step of preparing a workpiece; a second step, following the first step, of irradiating the workpiece with a laser beam to form at least one row of modified regions, inside the single crystal silicon substrate of the workpiece, along each of a plurality of cutting scheduled lines, and forming a crack so that the crack extends between the at least one row of modified regions and a second primary surface of the workpiece; and a third step, following the second step, of performing reactive ion etching on the workpiece from the second primary surface side and forming grooves, open to the second primary surface, along each of the plurality of cutting scheduled lines. In the third step, while performing the reactive ion etching, a black silicon layer is formed on the second primary surface and an inner surface of the workpiece.
(FR) La présente invention concerne un procédé de coupe de pièce de fabrication qui est pourvu de : une première étape de préparation d’une pièce de fabrication ; une deuxième étape, après la première étape, d’irradiation de la pièce de fabrication avec un faisceau laser pour former au moins une rangée de régions modifiées, à l’intérieur du substrat de silicium monocristallin de la pièce de fabrication, le long de chacune d’une pluralité de lignes planifiées de coupe, et de formation d’une fissure de sorte que la fissure s’étende entre l’au moins une rangée de régions modifiées et une deuxième surface primaire de la pièce de fabrication ; et une troisième étape, après la deuxième étape, de conduite d’une gravure par ions réactifs sur la pièce de fabrication depuis le deuxième côté de surface primaire et de formation de rainures, ouvertes vers la deuxième surface primaire, le long de chacune de la pluralité de lignes planifiées de coupe. Dans la troisième étape, tout en conduisant la gravure par ions réactifs, une couche de silicium noir est formée sur la deuxième surface primaire et une surface interne de la pièce de fabrication.
(JA) 加工対象物切断方法は、加工対象物を準備する第1ステップと、第1ステップの後に、加工対象物にレーザ光を照射することにより、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、加工対象物の単結晶シリコン基板の内部に少なくとも1列の改質領域を形成し、少なくとも1列の改質領域と加工対象物の第2主面との間に渡るように亀裂を形成する第2ステップと、第2ステップの後に、加工対象物に第2主面側から反応性イオンエッチングを施すことにより、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、第2主面に開口する溝を形成する第3ステップと、を含む。第3ステップでは、反応性イオンエッチングの実施中に、加工対象物の第2主面及び溝の内面にブラックシリコン層を形成する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)