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1. (WO2018193970) 加工対象物切断方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/193970 国際出願番号: PCT/JP2018/015425
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 12.04.2018
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
[IPC code unknown for B23K 26/53]
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
坂本 剛志 SAKAMOTO Takeshi; JP
田口 智也 TAGUCHI Tomoya; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2017-08152717.04.2017JP
発明の名称: (EN) WORKPIECE CUTTING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉCOUPE DE PIÈCE À USINER
(JA) 加工対象物切断方法
要約:
(EN) This workpiece cutting method is provided with: a first step of preparing a workpiece having a single crystal silicon substrate and a functional element layer that is provided on a first primary surface side and forming an etching protective layer on a second primary surface of the workpiece; a second step of irradiating the workpiece with a laser beam to form at least one row of modified regions, inside the single crystal silicon substrate, along each of a plurality of cutting scheduled lines, and forming a crack, in the workpiece, along each of the plurality of cutting scheduled lines so that the crack extends between the at least one row of modified regions and the surface of the etching protective layer; and a third step of forming grooves, open to the second primary surface, in the workpiece, the grooves being formed along each of the plurality of cutting scheduled lines by performing dry etching on the workpiece from the second primary surface side in a state in which the etching protective layer is formed on the second primary surface.
(FR) La présente invention concerne un procédé de découpe de pièce à usiner comprenant : une première étape de préparation d'une pièce à usiner comportant un substrat de silicium monocristallin et une couche d'élément fonctionnel qui est disposée sur un côté de première surface principale et formant une couche de protection contre la gravure sur une seconde surface principale de la pièce à usiner ; une deuxième étape consistant à exposer la pièce à usiner à un faisceau laser afin de former au moins une rangée de régions modifiées, à l'intérieur du substrat de silicium monocristallin, le long de chaque ligne d'une pluralité de lignes planifiées de découpe, et de former une fissure, dans la pièce à usiner, le long de chaque ligne de la pluralité de lignes planifiées de découpe de sorte que la fissure s'étend entre ladite rangée de régions modifiées et la surface de la couche de protection contre la gravure ; et une troisième étape de formation de rainures, ouvertes sur la seconde surface principale, dans la pièce à usiner, les rainures étant formées le long de chaque ligne de la pluralité de lignes planifiées de découpe par réalisation d'une gravure sèche sur la pièce à usiner à partir du côté de seconde surface principale dans un état où la couche de protection contre la gravure est formée sur la seconde surface principale.
(JA) 加工対象物切断方法は、単結晶シリコン基板と、第1主面側に設けられた機能素子層と、を有する加工対象物を準備し、加工対象物の第2主面にエッチング保護層を形成する第1ステップと、加工対象物にレーザ光を照射することにより、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、単結晶シリコン基板の内部に、少なくとも1列の改質領域を形成し、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、加工対象物に、少なくとも1列の改質領域とエッチング保護層の表面との間に渡るように亀裂を形成する第2ステップと、エッチング保護層が第2主面に形成された状態で、加工対象物に第2主面側からドライエッチングを施すことにより、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、加工対象物に、第2主面に開口する溝を形成する第3ステップと、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)